第三章场效应管 场效应管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,其特点是控制端基 本上不需要电流,且受温度、辐射等外界条件影响小,便于集成,因此得到 广泛应用,场效应管分为结型和绝缘栅型两大类,他们都以半导体中的多子 来实现导电,所以又称为单极型晶体管,而上一章讲的晶体三极管是两种载 流子参与导电,所以又称为双极型晶体管。 3.1结型场效应管(JFET) 分为N沟道和P沟道两种:电路符号分别是: 结型场效应管工作原理 现以P沟道结型场效应管为例,其结构示N沟道 P沟道 意图如下:VDs VGs的作用是使G、S间的PN 结反偏,由于D点电位不能 高于G点,故VDs间必须加 负电压,保证两个PN结反 偏,可以看出,G、S间的 P 反偏电压较小,而G、D间 的反偏电压较高: 因此,在VDS作用下,JFET 的导电沟道并不均匀第三章 场效应管 场效应管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，其特点是控制端基 本上不需要电流，且受温度、辐射等外界条件影响小，便于集成，因此得到 广泛应用，场效应管分为结型和绝缘栅型两大类，他们都以半导体中的多子 来实现导电，所以又称为单极型晶体管，而上一章讲的晶体三极管是两种载 流子参与导电，所以又称为双极型晶体管。 3. 1 结型场效应管（JFET） 分为N沟道和P沟道两种：电路符号分别是： 一、结型场效应管工作原理 现以P沟道结型场效应管为例，其结构示 意图如下：VDS N沟道 P沟道 P N+ N+ G S D VGS VDS VGS的作用是使G、S间的PN 结反偏，由于D点电位不能 高于G点，故VDS间必须加 负电压，保证两个PN结反 偏，可以看出，G、S间的 反偏电压较小，而G、D间 的反偏电压较高： VGD=VGS+ VSD 因此，在VDS作用下，JFET 的导电沟道并不均匀