·504· 北京科技大学学报 1993年No.5 积工艺参数（如表）得到了3种不同品体学特征的薄膜、如图1所小尔。 表1沉积工艺参数 Table 1 Deposition conditions 工艺参数 A B C 时间 (h) 24 48 48 CH4流量 (cm'/min) 2.2 0.7 3.3 O:流量 (em'min) 0.5 0 0.5 H流量 (cm/min) 100 100 100 压力 (kPa) 2.67 2.67 2.67 基片温度 (C) 800 800 800 图1抛光前SEM表面形貌观察 Fig.1 SEM morphology of the diamond film surface 抛光设备为中科院沈阳科仪厂生产的离子薄仪。通过高压电离氩气产生离子束，轰击 距离子束源30mm处的试样，试样表面与入射的角度可调，并随试样台从l2r/min的速 率旋转。离子束电流密度为0.2mA/mm2,加速电压不大于6kV, 采用SEM对金刚石膜表面形貌进行观察，表面粗糙度由DEKTAKⅡ型轮廓仪测 得，扫描距离为0.25min,依据日本JISB06D1标准，取中心线平均粗糙度Ra为测量指 标。 2实验结果与分析 2.1不同晶体学表面形貌金刚石膜的抛光效果 由图1和表2可知，表面形貌主要为(100)面的A类（图1）试样惊始表而较为平 整，抛光效果也较理想，达Ra为28nm,已可满足远红外光学膜的应用。表面形貌主 要为(111)面的B类（图1b)试样，原始表面粗糙度较大，且(111）面为金刚石品体中· 最硬的面，抛光效果较A类差一些。对于球形表面形貌的C类（图1）试样，抛光效果· 5 0 4 · 北 京 科 技 大 学 学 报 1 9 9 3 年 N 0 5 积工 艺参 数 (如 表 )l 得 到 了 3 种 不 同晶体学 特 征的薄 膜 , 如 图 1 所 示 。 表 l 沉积工艺参数 T a b l e 1 D e Po s i ti o n e o n d i t i o n s 工 艺 参 数 铭月()5l0() 时间 C H 4 流量 O : 流量 H : 流量 压力 基片温度 ( 1 1 ) ( e m ’ / I n l n ) c( m 3 / m il) ( e m 3 / m z l l ) ( k P a ) ( C ) 2 4 争 勺 0 . 5 10 0 2 . 6 7 8 0 0 4 8 0 . 7 O 】0 0 2 . 6 7 8 0 0 2 . 6 7 8 0 〔) 图 1 抛光前 S E M 表面形貌观察 F ig . l S E M m o rP h o l哈 y o f t h e d i a m o n d if l m s u r af ce 抛光设备 为 中科院沈 阳科仪厂生 产 的离子 薄仪 。 通过 高 压 电离 氢气产生 离子 束 , 轰击 距离子束源 3 Om m 处 的试样 , 试样 表 面与人射 的角 度可调 , 并 随试样 台从 12r / m in 的速 率旋转 。 离子束 电 流密度 为 0 . 2 m A / m m Z , 加 速 电压 不 大于 6k V 。 采用 S E M 对 金刚 石 膜表 面 形 貌进 行 观察 , 表 面粗糙度 由 D E K T A K 且型 轮 廓仪测 得 , 扫描 距离 为 0 . 25 m in , 依据 日本 J ls B 06 D I 标准 , 取 中心线平 均粗糙度 R 扩〕为测量 指 标 。 2 实验结果 与分析 2 . 1 不 同晶体学表面形 貌金刚石膜的抛光效果 由图 1 和 表 2 可知 , 表面形 貌主 要为 ( 10 0) 面的 A 类 ( 图 a1 ) 该 _ 材羊原始表 而较 为平 整 , 抛 光效果也较理想 , 达 R a 为 28 n m 、 已 可 满 足远 红 外 光学 膜 的 应用 [ ’ ] 。 表 面 形 貌主 要 为 ( 1 1 1) 面 的 B 类 (图 lb ) 试样 , 原始表面粗糙度 较大 , 且 ( 1 1 1) 面为金 刚石 晶体 中 最 硬 的面 , 抛 光效果较 A 类差 一些 。 对于球形 表面 形貌 的 C 类 ( 图 I c) 试样 , 抛 光 效果