·76· 北京科技大学学报 第36卷 200nm 2 um 2 pm 2 图2GH720Li合金压缩及退火态析出相形貌及分布.(a),(b)变形后空冷：(c)退火10min:(d)退火20min:(e)退火40min Fig.2 Precipitation characteristics and distribution of GH720Li alloy during compression and annealing:(a),(b)deformation and air cooling:(e) annealing for 10 min:(d)annealing for 20 min:(e)annealing for 40 min +γ两相区变形的主要特点是晶粒组织尺寸及形貌 金再结晶过程，需从晶粒内部位错组态进行深入 由基体内一次y相的含量及分布决定.在变形态基 分析 体内一次Y含量较高的情况下，合金晶粒尺寸极 2.2合金变形及退火过程中的位错组态及再结晶 小，且由于形成元素偏析导致的Y相分布不均匀 行为 性，晶粒尺寸也呈现相应的差异：在γ细小密集的 GH720Li合金两相区变形及空冷后的晶粒位错 局部区域，晶粒组织亦相对细小，而在y较为稀疏 组态如图3所示.从图中可以看出，合金晶界处在 的区域，晶粒尺寸则较大.退火后一次y相减少，晶 变形过程中积累了大量位错，一些位错通过滑移、攀 粒尺寸相应增加，而当Y相达到该温度下稳定含 移等方式迁动从而重新排列或与异号位错对消，使 量时，合金晶粒便保持稳定大小而无法随退火时 位错塞积区发生明显的回复现象，如图3(a)所示. 间的增加进一步长大.在晶粒形貌方面，由图1可 随着空冷过程的继续，回复过程进一步发展并在晶 以看出，由于y相分布的限制，无论变形态或退火 界附近形成大量亚晶结构，部分亚晶在形变储存能 态下合金所有晶粒均呈等轴状，仅通过形貌难以 梯度的驱动下开始向高位错密度区域迁动（图3(b) 区分变形晶粒与再结晶晶粒.这一特征即无法判 中箭头1所指)，形成向前凸出的亚晶界；不同亚晶 断GH720Li合金在变形过程中是否发生动态再结 之间则由于位错密度相近而形成较为平直的亚晶界 晶，也无法辨明退火过程中合金晶粒长大属于再 (图3(b)中箭头2所指).随着变形晶粒内亚晶的 结晶行为抑或正常晶粒长大.为研究GH720Li合 不断长大，原始晶界处的高位错密度区域基本消失，北 京 科 技 大 学 学 报 第 36 卷 图 2 GH720Li 合金压缩及退火态析出相形貌及分布． ( a) ，( b) 变形后空冷; ( c) 退火 10 min; ( d) 退火 20 min; ( e) 退火 40 min Fig． 2 Precipitation characteristics and distribution of GH720Li alloy during compression and annealing: ( a) ，( b) deformation and air cooling; ( c) annealing for 10 min; ( d) annealing for 20 min; ( e) annealing for 40 min + γ'两相区变形的主要特点是晶粒组织尺寸及形貌 由基体内一次 γ'相的含量及分布决定． 在变形态基 体内一次 γ'含量较高的情况下，合金晶粒尺寸极 小，且由于形成元素偏析导致的 γ'相分布不均匀 性，晶粒尺寸也呈现相应的差异: 在 γ'细小密集的 局部区域，晶粒组织亦相对细小，而在 γ'较为稀疏 的区域，晶粒尺寸则较大． 退火后一次 γ'相减少，晶 粒尺寸相应增加，而当 γ'相达到该温度下稳定含 量时，合金晶粒便保持稳定大小而无法随退火时 间的增加进一步长大． 在晶粒形貌方面，由图 1 可 以看出，由于 γ'相分布的限制，无论变形态或退火 态下合金所有晶粒均呈等轴状，仅通过形貌难以 区分变形晶粒与再结晶晶粒． 这一特征即无法判 断 GH720Li 合金在变形过程中是否发生动态再结 晶，也无法辨明退火过程中合金晶粒长大属于再 结晶行为抑或正常晶粒长大． 为研究 GH720Li 合 金再结晶过程，需从晶粒内部位错组态进行深入 分析． 2. 2 合金变形及退火过程中的位错组态及再结晶 行为 GH720Li 合金两相区变形及空冷后的晶粒位错 组态如图 3 所示． 从图中可以看出，合金晶界处在 变形过程中积累了大量位错，一些位错通过滑移、攀 移等方式迁动从而重新排列或与异号位错对消，使 位错塞积区发生明显的回复现象，如图 3( a) 所示． 随着空冷过程的继续，回复过程进一步发展并在晶 界附近形成大量亚晶结构，部分亚晶在形变储存能 梯度的驱动下开始向高位错密度区域迁动( 图 3( b) 中箭头 1 所指) ，形成向前凸出的亚晶界; 不同亚晶 之间则由于位错密度相近而形成较为平直的亚晶界 ( 图 3( b) 中箭头 2 所指) ． 随着变形晶粒内亚晶的 不断长大，原始晶界处的高位错密度区域基本消失， ·76·