4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析 ID/mA 2.静态工作点图解十可电区击穿区 D/mA GS =0 DSS 恒流区 3 18V R d GS IDR 30K9 VDs= VDD-ID Rd+R) 4.7μF+ T +001uF 可解出Q点的vGs、L 1M叫2Kp47 R HOME BACK NEXTVGS = VDS = VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS VP 2. 静态工作点图解 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析