44场效应管放大电路 44.1FET的直流偏置及静态分析 ●直流偏置电路 ●静态工作点 44.2FET放大电路的小信号模型分析法 ●FET小信号模型 动态指标分析 ●三种基本放大电路的性能比较 HOME
• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 4.4 场效应管放大电路
44.1FET的直流偏置电路及静态分析 场效应管偏置电路特点 ①栅极只需要偏压,不需要 偏流 ②注意各类FET的偏置极性区别: N沟道器件加正漏源偏压; P沟道器件加负漏源偏压; 耗尽型器件加反极性栅压; 增强型器件加同极性栅压; E ③采用偏置稳定电路 HOME BACK NEXT
场效应管偏置电路特点 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 ① 栅极只需要偏压，不需要 偏流 ② 注意各类FET的偏置极性区别： N沟道器件加正漏源偏压； P沟道器件加负漏源偏压； 耗尽型器件加反极性栅压； 增强型器件加同极性栅压； ③ 采用偏置稳定电路
4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析 1.FET典型直流偏置电路 (1)自偏压电路 (2)分压式自偏压电路 R 18v Rd R b2 30k9 d 4.7μF T +001uF R GS R s Vi R g2 R 47k92K9 47μF GS R Von -IR R+R D D D HOME BACK NEXT
（1）自偏压电路 （2）分压式自偏压电路 vGS vGS = - iDR VGS = VG −VS DD g1 g2 g2 V R R R + = − I D R 1. FET典型直流偏置电路 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析 ID/mA 2.静态工作点图解十可电区击穿区 D/mA GS =0 DSS 恒流区 3 18V R d GS IDR 30K9 VDs= VDD-ID Rd+R) 4.7μF+ T +001uF 可解出Q点的vGs、L 1M叫2Kp47 R HOME BACK NEXT
VGS = VDS = VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS VP 2. 静态工作点图解 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析 3.静态工作点计算 DD Q点:vs、Ib、V 18v R 已知V,由 30 KQ b? d R 4.7pF 1 g T Ds= VDD-ID Rd+R) +001uF R s GS\2 10 MQI R DSS 2K447μF 可解出Q点的vGs、L、Vs HOME BACK NEXT
Q点： VGS 、 ID 、 VDS VGS = GS 2 D DSS P (1 ) V I I V = − VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 3. 静态工作点计算 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
44.2FET放大电路的小信号模型分析法 1.FET小信号模型 (1)低频模型 d d DS (a)FET在共源接法时的双口网络 (b)低频模型 图442FET的小信号模型 HOME BACK NEXT
1. FET小信号模型 （1）低频模型 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
4.4.2FET放大电路的小信号模型分析法 (2)高频模型 g 8r g 1 GS a)FET在共源按法时的双口网络 (c)高频模型 图442FET的小信号模型 HOME BACK NEXT
4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 （2）高频模型
4.4.2FET放大电路的小信号模型分析法 2.共源电路动态指标分析 (1)中频小信号模型 oⅴDD R Rg b2 d T 卫 0 1 R Rg2 图443共源电路及其小信号等效电路 HOME BACK NEXT
（1）中频小信号模型 2. 共源电路动态指标分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
4.4.2FET放大电路的小信号模型分析法 (2)中频电压增益 gS 忽略r由输入输出回路得 Ro gS 吃=V…+8n2DR=V(1+gmB)吃 Rgl Rg2 R R Vn=-8mV、R 则A 1+8mR gs t +8 r (3)输入电阻R =F+(1+r28n)R R=R∥IR3+(Ra∥R2)通常r+(1+8n)R>IR3+(Ra∥R2) 则R≈R3+(R1∥R2 HOME (4)输出电阻「R≈R BACK NEXT
（3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rd V i = Vgs + g m V gsR (1 m ) =V gs + g R V o = g m VgsRd − AVm = g R g R m m d 1+ − // Ri Ri = 由输入输出回路得 则 g i i I V R = [ ( // )] Rg3 + Rg1 Rg2 (1 ) [ ( // )] gs gsgm R Rg3 Rg1 Rg2 通常 r + + r + 则 ( // ) Ri Rg3 + Rg1 Rg2 Ro Rd = rgs + (1+ rgsgm )R gs gs m gs gs gs gs ( ) r V g V R r V V + + = 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 （2）中频电压增益
4.4.2FET放大电路的小信号模型分析法 d + an g 3.共漏电路动态指标分析RhRe 共漏极放大电路如图示 解:(1)画中频小信号模型 Rollers 0 (2)分析中频电压增益 图444共漏极电路的小信号等效电路 由 =+gn(R∥R1)=v[1+gn(R∥R Tn=gmV、(R∥R1) 得 =={nm(R∥R1)≈1 V;1+gm(R∥R1) (3)输入电阻R≈R3+(Ra1∥|2) HOME BACK NEXT
共漏极放大电路如图示 （2）分析中频电压增益 （3）输入电阻 V i =Vgs ( // ) gm Vgs R RL + 1 ( // ) =Vgs + gm R RL V o = ( // ) g m Vgs R RL AVm = 1 ( // ) ( // ) m L m L g R R g R R + 得 = ( // ) Ri Rg3 + Rg1 Rg2 解：（1）画中频小信号模型 由 i o V V 1 3. 共漏电路动态指标分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法