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华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)3.1 半导体三极管(BJT)

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3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理> 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数
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3.1半导体三极管(BJT) 3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理> 3.13BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数 HOME

3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理> 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数 3.1 半导体三极管(BJT)

3.1.1BJT结构简介 1.三极管的构造核心:一块有两个相互联系的 PN结单晶;示意图如下 发射区发射结(Je) 集电结(Jc) 集电区 NPN型 集电极,用C或c 表示( Collector) N 基区 发射极,用E或e 表示( Emitter 基极,用B或 C b表示(Base) b e HOME BACK NEXT

3.1.1 BJT结构简介 1. 三极管的构造核心:一块有两个相互联系的 PN结单晶;示意图如下 发射区 发射极,用E或e 表示(Emitter) 发射结(Je) 基极,用B或 b表示(Base) 集电极,用C或c 表示(Collector) 集电区 基区 集电结(Jc)

3.1,1BJT简介 2.两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号 NPN型 PNP型 N N N C C e e 两种类型的三极管 3.BJT制造工艺:合金法、扩散法 HOME BACK NEXT

两种类型的三极管 2. 两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号 3.1.1 BJT简介 3. BJT制造工艺:合金法、扩散法

3.1,1BJT简介 4.BJT的分类 按材料:硅三极管、锗三极管 按用途:高频管、低频管、功率管、开关管 (国标):国产三极管的命名方案 BJT的外形图 HOME BACK NEXT

• 按材料:硅三极管、锗三极管 • 按用途:高频管、低频管、功率管、开关管 • (国标) :国产三极管的命名方案 3.1.1 BJT简介 4. BJT的分类 BJT的外形图

312BJT的电流分配与放大原理 结构特点 NPN型 发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射 P 区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微 米至几十个微米,且掺杂 管芯结构剖面图 浓度最低 HOME BACK NEXT

3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 结构特点: • 发射区的掺杂浓度最高; • 集电区掺杂浓度低于发射 区,且面积大; • 基区很薄,一般在几个微 米至几十个微米,且掺杂 浓度最低。 管芯结构剖面图

3.1.2BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大原理归结为 以上看出,三极管内有 两种载流子(自由电子 外部条件:发射结正偏,集电结反偏和空穴都参与导电 内部机制:载流子传输 故称为双极型三极管 或BJT( Bipolar 内部载流子的传输过程 Junction Transistor) N N e lo iI b IB B=-B°bI=lmL ° I-B+IC HOME 载流子的传输过程 BACK NEXT

三极管的放大原理归结为 外部条件:发射结正偏,集电结反偏 内部机制:载流子传输 发射区:发射载流子(IE) 基 区:载流子复合(IB’)与 扩散 集电区:收集扩散载流子(InC) 并存在反向漂移电流 (ICBO) 载流子的传输过程 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 以上看出,三极管内有 两种载流子(自由电子 和空穴)都参与导电, 故称为双极型三极管。 或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 (以NPN为例)

3.1.2BJT的电流分配与放大原理 P 2.电流分配关系 N Ine (1)三个电极电流总关系 ict CCBA BC BCBO (2)基极电流传输系数o 载流子的传输过程 设a 传输到集电极的电沉 a为电流放大系 发射极注入电流数,与管子的结构尺 通常>ko有a、/寸和掺杂浓度有关 般a=0.9~0.99 E HOME BACK NEXT

载流子的传输过程 发射极注入电流 传输到集电极的电流 设  = nC E i i 即  = 通常 inC >> ICBO C E i i 有    为电流放大系 数,与管子的结构尺 寸和掺杂浓度有关, 一般  = 0.90.99 2. 电流分配关系 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 iC= inC+ ICBO iB= iB’ - ICBO iE =iB+ iC (1)三个电极电流总关系 (2)基极电流传输系数

3.1.2BJT的电流分配与放大原理 (3)集电极电流放大系数β 令B 由lg=iB+c和a 所以ig=(1-a)g 是另一个电流放大 系数,同样,它也与管 可得β 子的结构尺寸和掺杂浓 1-a 度有关。一般B>>1 HOME BACK NEXT

−   = 1 由  是另一个电流放大 系数,同样,它也与管 子的结构尺寸和掺杂浓 度有关。一般 >> 1 C E i i  = 可得 C B i i 令  = 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 E B C i i i = + (1 ) B E i i = − 和 所以 (3)集电极电流放大系数

3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.三极管的三种电路组态(原型电路) (1)共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; (2)共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。 (3)共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示; 输入端口 输 端 eo输出端口 CE CB CC B E B HOME BJT的三种组态 BACK NEXT

(3)共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示; (2)共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。 (1)共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; BJT的三种组态 3. 三极管的三种电路组态(原型电路) 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理

3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.放大作用简释 (1)模拟信号的放大(补1.2.1) 信号源 负载 R ①D放大电路 RL ,,,_, 电压增益(电压放大倍数) Av=Vo 互阻增益AR 电流增益A1 互导增益AG (S) HOME BACK NEXT

电压增益(电压放大倍数) o V i V A V • • • = 电流增益 o I i I A I • • • = 互阻增益 o R i V A ( ) I • • • =  互导增益 o G i I A (S) V • • • = Rs 放大电路 Io Ii + – Vo + – Vs + – Vi RL 信号源 负载 3. 放大作用简释 (1)模拟信号的放大(补1.2.1) 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理

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