此外，半导体还具有一些重要特性，主要包括： /986 ,温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 (NTC) 如室温附近的纯硅(S),温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力（参杂效应） 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个V族杂质（比如磷)为例，这时硅的纯度仍高达 99.9999%,但电阻率在室温下却由大约214,0002cm降至0.22cm以下 ~适当波长的光照可以改变半导体的导电能力（光电效应） 如在绝缘衬底上制备的疏化镉(CS)薄膜，无光照时的暗电阻为几十M2,当受光照后 电阻值可以下降为几十K2 >此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变（霍尔效应等） 电子科技大学敏席材料与传感器课程组电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作  温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降（NTC） 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右  微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力(掺杂效应) 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度仍高达 99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下  适当波长的光照可以改变半导体的导电能力(光电效应) 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的暗电阻为几十MΩ，当受光照后 电阻值可以下降为几十KΩ  此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变(霍尔效应等) 此外，半导体还具有一些重要特性，主要包括：