4.半导体三极管的结构特点 发射结 集电结 ◆发射区的掺杂浓度 发射区 最高； ◆集电区掺杂浓度低 于发射区，且集电 结面积大； 集电区 基区 NPN管结构剖面图 ◆基区掺杂浓度最低且制造得很薄，厚度一般在几个 微米至几十个微米。◆发射区的掺杂浓度 最高； ◆集电区掺杂浓度低 于发射区，且集电 结面积大； ◆基区掺杂浓度最低且制造得很薄, 厚度一般在几个 微米至几十个微米。 4. 半导体三极管的结构特点 NPN管结构剖面图 集电区 基区 发射区 发射结 集电结