2、内建电位差： 内建电位差：由内建电场E产生的电位差，用V。表示 根据动态平衡条件： ID =IT 求得V.近似表达式 Vs≈V,n NaNd ni 式中 kT Vr V称为热电压，单位为伏特。 当室温为T=300K时 Vx≈26my 上式表明，PN结两边的掺杂浓度N,、N:越大，n越小， VB就越大。锗的n大于硅，因而硅的V.大于锗。内建电位差：由内建电场E产生的电位差，用 VB 表示 根据动态平衡条件： D T I = I 求得VB 近似表达式 2 ln i a d B T n N N V  V 式中 q kT VT = VT 称为热电压，单位为伏特。 当室温为 T = 300K 时 V mv T  26 上式表明，PN结两边的掺杂浓度Na、Nd 越大，ni 越小， VB就越大。 锗的ni 大于硅，因而硅的VB大于锗。 2、内建电位差: