点击下载:电子科技大学:《集成电子学 Integrated Electronics》课程教学资源(课件讲稿)第三章 VLSI集成物理(1/2)
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·采用PN结隔离的集成NPN双极晶体管 B C 为减小集电极串联电阻,在外延之前进行+埋层扩散 N(10cm3) ↑N+埋层 E B C ■ P.(2X10cm3) 得到有埋层的集成NPN晶体管 N• 采用PN结隔离的集成NPN双极晶体管 为减小集电极串联电阻,在外延之前进行N+埋层扩散 得到有埋层的集成NPN晶体管
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