3.2半导体读写存储器 RAM的分类: 双极型半导体存储器 半导体存储器(R4M金属氧化物(MOS)半导体存储器 MOS存储器(静态MO储器(SR4M0 动态MOS存储器(DRAM 半导体存储器(按信息存储方式分){读写存储器 只读存储器 321半导体基本存储单元 基本存储单元:存储器中用于存储一位二进制代码的单元电路。也称为存储元。 1.双极型半导体存储器 双极型半导体存储元是由TTL( Transistor-transistor Logic)电路组成 多射极存储元 构成:两个双射极反向交叉耦合的三极管和电阻(如图32) 字线W与同一个字的所有存储元相连接,每一位的位线受位信息的控制。 存储机理:用双稳态触发器的两个稳定状态表示一位二进制信息 0”态:T0管导通,T管截止,即A点为低电位,B点为高电位; “1”态:T0管截止,T1管导通,即A点为高电位,B点为低电位; 2静态MOS存储元 存储机理 用触发器的两个稳定状态表示“1”和“0”。译码线 只要供电电源正常,保存的“1”或“0” 就能长久保存,而不需要任何“刷新”操作, 这就是静态RAM的含义 (1)组成 T1、T管:触发器存储元工作管 T3、T管:负载管,起负载电阻作用 D D T1、T2、T、T4组成一个能保存二进制数 的触发器。 Ts、T6、T7、T8管:控制管或开门管。 按Y地址译码线 (2)工作原理 郾3.3六管静态存储3. 2 半导体读写存储器 RAM 的分类： ⎩ ⎨ ⎧ ⎩ ⎨ ⎧ ⎩ ⎨ ⎧ 只读存储器 读写存储器 半导体存储器（按信息存储方式分） 动态 存储器（ ） 静态 存储器（ ） 存储器 金属氧化物（ ）半导体存储器 双极型半导体存储器 半导体存储器（ ） MOS DRAM MOS SRAM MOS MOS RAM 3.2.1 半导体基本存储单元 基本存储单元：存储器中用于存储一位二进制代码的单元电路。也称为存储元。 1. 双极型半导体存储器 双极型半导体存储元是由 TTL（Transistor-transistor Logic）电路组成。 多射极存储元 构成：两个双射极反向交叉耦合的三极管和电阻（如图 3.2）。 字线 W 与同一个字的所有存储元相连接，每一位的位线受位信息的控制。 存储机理：用双稳态触发器的两个稳定状态表示一位二进制信息。 “0”态：T0管导通，T1管截止，即A点为低电位，B点为高电位； “1”态：T0管截止，T1管导通，即A点为高电位，B点为低电位； 2.静态 MOS 存储元 T1 Vcc B T6 T4 T2 T3 T5 A T7 T8 D D X 地址 译码线 ( /OI ) 按 Y 地址译码线 ( ) /OI 图 3.3 六管静态存储元 存储机理： 用触发器的两个稳定状态表示“1”和“0”。 只要供电电源正常，保存的“1”或“0” 就能长久保存，而不需要任何“刷新”操作， 这就是静态 RAM 的含义 （1）组成 T1、T2管：触发器存储元工作管。 T3、T4管：负载管，起负载电阻作用 T1、T2、T3、T4组成一个能保存二进制数 的触发器。 T5、T6、T7、T8 管：控制管或开门管。 （2）工作原理