“1”态:T1截止,T2导通,即A点为高电位,B点为低电位 “0”态:T1导通,T2截止,即B点为高电位,A点为低电位。 一个双稳态触发器只能处于其中的一种稳定状态,它取决于最近一次的写入信息。 3.动态M0S存储器 (1)存储机理 用电容存储电荷的多少表示“1”和“0”,信息可以维持一定时间。 四管动态存储元 “1”态:C2充电至高电位,C1无充电为低电位。 0”态:C1充电至高电位,C2无充电为低电位。 单管动态存储元 构成:一个管子T和电容C。 破坏性读出:读“1”时电容放电,“1”状态被破坏,称破坏性读出,为维持原存的信 息不变(运行程序必须的环境),需重写。 323半导体存储器芯片的组织 1地址译码驱动 按指定地址访问主存储器是冯·诺依曼计算机的主要工作特点,主要是通过译码电路来实现。 (1)一维地址译码方式 存储器芯片分成2个字,每个字长b位,阵列的每一行对应一个字,共用一根字选择线 W(i=0~(2"-1),每一列对应不同字相同位权的位,有两根共用的位线D、D与之相连 只用一组n位地址译码器对2个字译码。“1”态：T1截止，T2导通，即A点为高电位，B点为低电位。 “0”态：T1导通，T2截止，即B点为高电位，A点为低电位。 一个双稳态触发器只能处于其中的一种稳定状态，它取决于最近一次的写入信息。 3．动态 MOS 存储器 （1）存储机理: 用电容存储电荷的多少表示“1”和“0”，信息可以维持一定时间。 四管动态存储元 “1”态： C2 充电至高电位， C1 无充电为低电位。 “0”态： C1 充电至高电位， C2 无充电为低电位。 单管动态存储元 构成：一个管子 T 和电容Ｃ。 破坏性读出：读“1”时电容放电，“1”状态被破坏，称破坏性读出，为维持原存的信 息不变（运行程序必须的环境），需重写。 3.2.3 半导体存储器芯片的组织 1.地址译码驱动 按指定地址访问主存储器是冯•诺依曼计算机的主要工作特点，主要是通过译码电路来实现。 （1） 一维地址译码方式 存储器芯片分成 2n 个字，每个字长b位，阵列的每一行对应一个字，共用一根字选择线 Wi( i =０～(2n -1))，每一列对应不同字相同位权的位，有两根共用的位线DJ、DJ 与之相连， 只用一组ｎ位地址译码器对 2n 个字译码