氧化层中的电荷 可动离子电荷 金属 a 1、可移动离子电荷主 氧化层陷阱电荷 要来自人体或沾污，主 氧化层固定电荷 SiO2 要是影响平带电压。一 般用BT处理的CV曲线 来测量。 界面陷阱电荷 Si 一■一理想C-V曲线 负BT处理C-V曲线 一4一 实际C-V曲线 正BT处理C-V曲线 2、氧化层固定电荷，主要 分布在距离Si/SiO2界面约 2nm内，主要由于氧化或 退火条件不合理导致部分 硅没有完全氧化产生硅正 离子，导致C-V曲线里面 .6 F832 F820 6 平带电压的位移 铝栅p-Si结构高频C-V特性氧化层中的电荷 2、氧化层固定电荷，主要 分布在距离Si/SiO2界面约 2nm内，主要由于氧化或 退火条件不合理导致部分 硅没有完全氧化产生硅正 离子，导致C-V曲线里面 平带电压的位移。 1、可移动离子电荷主 要来自人体或沾污，主 要是影响平带电压。一 般用BT处理的C-V曲线 来测量