3)氧化层陷阱电荷主要是由于辐 射、FN隧穿、热载流子效应造成 的缺陷捕获电子或空穴，故氧化层 陷阱电荷既可以是正的也可以是负。 因此捕获电荷会由于初始加的电压 为正或为负导致不同，导致高频C V曲线的迟滞现象。可据此来判断 氧化层捕获的电荷型态以及数量。 Bias(V) 4、界面陷阱电荷（界面态）主要位于S与SO的界面处，由 于氧化过程中未找到氧键的$的悬挂键，它可以俘获电子或 空洞，所以可以带正电或负电。在CV特性曲线上，界面态 对高频信号无响应所以曲线不会改变。但低频C-V曲线上体 现出电荷充放电，造成CV曲线畸变。3) 氧化层陷阱电荷主要是由于辐 射、FN隧穿、热载流子效应造成 的缺陷捕获电子或空穴，故氧化层 陷阱电荷既可以是正的也可以是负。 因此捕获电荷会由于初始加的电压 为正或为负导致不同，导致高频C- V曲线的迟滞现象。可据此来判断 氧化层捕获的电荷型态以及数量。 4、界面陷阱电荷（界面态）主要位于Si与SiO的界面处，由 于氧化过程中未找到氧键的Si的悬挂键，它可以俘获电子或 空洞，所以可以带正电或负电。在C-V特性曲线上，界面态 对高频信号无响应所以曲线不会改变。但低频C-V曲线上体 现出电荷充放电，造成C-V曲线畸变