d霍尔效应的解释 现研究一个长度为L、宽度为d的N型半导体材料制成的 霍尔元件。当沿X方向通以电流后,载流子(对N型半 硬导体是电子)e将以平均速度v沿与电流相反的方向运动, 在磁感应强度为B的磁场中,电子将受到洛仑兹力的作用, 其大小为2,"f=evB +++++++ e X L霍尔效应的解释 + + + + + + + + - - - - - - - L x B b Y d f B = evB 现研究一个长度为L、宽度为d的N型半导体材料制成的 霍尔元件。当沿X方向通以电流 后，载流子（对N型半 导体是电子）e将以平均速度v沿与电流相反的方向运动， 在磁感应强度为B的磁场中，电子将受到洛仑兹力的作用， 其大小为 H I H I e B f z v