3.3CMOS工艺层 69 3.4FET阵列设计 71 3.4.1基本门设计……… 73 3.4.2复合逻辑门4……… 76 3.4.3一般性讨论 78 3.4.4小结… 81 3.5参考资料 81 3.6习题… 82 第4章CM○S集成电路的制造 85 4.1硅工艺概述……。 85 本章概要… 87 4.2材料生长与淀积… 88 4.2.1二氧化硅… 88 4,2.2氨化硅……… 89 4,2.3多晶硅… 90 4,2.4金属化… 90 4.2.5掺杂硅层 91 4.2.6化学机械抛光 92 4.3刻蚀…… 93 洁净间………… …97 4.4CMOS工艺流程 97 工艺改进…… 101 4.5设计规则… 104 4.5,1物理极限… 107 4.5.2电气规则…“ 108 4.6参考资料… 108 第5章物理设计的基本要素…… 109 5.1基本概念… 109 CAD工見·… 110 5.2基本结构的版图 1I1 5.2.1n阱… 5.2.2有源区… 112 5.23掺杂硅区… 113 5.2.4M0F5T…**+" 114 5.2.5有源区接触… 117 5,2.6金属层1 118 5.2.7通孔和多层金属 121 5.2.8防止门锁现象… 121 5.2,9版图编辑器… 123 5.3单元概念… 124 5.4FET的尺寸确定和单位晶体管…129 ·Ⅱ·