中国科学技木太学物理系微电子专业 半导体材料研究方面取得的进展,为晶体管的发明奠定了必 要的技术基础。 半导体材料的发现和材料提纯技术的改进、p型和n型半导体 材料的获得,很快发现p-n结是很好的整流器,并具有光生 伏特效应 从与真空管的类比中,人们很自然地想到能否在p-n结上加 个控制栅极,从而做成一个固体放大器。 在应用需求的推动下,1947年12月16日在贝尔实验室诞生了 世界上第一个具有放大和功率增益性能的点接触晶体管。 1948年1月23日肖克莱完成了晶体管三个基本概念的建立。 1956年 Bardeen、 Brattain和 Shockley获物理学诺贝尔奖。 自此,以半导体物理为理论基础的微电子学诞生了,一个新 的工业革命时代一信息社会开始了。 Semiconductor devices 2021/24 12中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 12 Semiconductor Devices