中国科学技木大学物理系微电子专业 绪论 ■这门课在学科群中的地位 课程定位 ■半导体器件的发展简介 历史与趋势 些具体问题的说明 教材,习题考试 Semiconductor devices 2021/24
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 2 Semiconductor Devices 绪 论 ◼ 这门课在学科群中的地位 --课程定位 ◼ 半导体器件的发展简介 --历史与趋势 ◼ 一些具体问题的说明 --教材,习题,考试
中国科学技术大学物理系微电子专业 半导体器件 ◆器件(器件物理;器件原理;器件工艺 电子器件(双极型器件MoS器件各 种特种器件) 光电子器件激光器发光管光电转换 器件 其他各种效应的应用(热电压电… Semiconductor devices 2021/24
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 3 Semiconductor Devices 半导体器件 ♦ 器件 (器件物理; 器件原理; 器件工艺): 电子器件(双极型器件,MOS器件,各 种特种器件); 光电子器件(激光器,发光管,光电转换 器件); 其他各种效应的应用(热电,压电 ……)
中国科学技术大学物理系微电子专业 相关课程(领域) ◆物理(对物理问题更深入,更专门的讨 论) 高等半导体物理;半导体理论; 半导体表面物理;非晶态半导体物理 半导体光学 ◆材料(材料性质,应用的物理模型材料 制备新材料的研制) 体材料;薄膜材料;微结构材料;人工设 计材料; Semiconductor devices 2021/24
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 4 Semiconductor Devices ◼ 相关课程(领域) ♦ 物理 (对物理问题更深入,更专门的讨 论): 高等半导体物理; 半导体理论; 半导体表面物理; 非晶态半导体物理; 半导体光学 …… ♦ 材料 (材料性质,应用的物理模型,材料 制备,新材料的研制): 体材料; 薄膜材料; 微结构材料; 人工设 计材料;……
中国科学技术大学物理系微电子专业 ◆集成电路一 集成电路原理及其设计(线路设计版图设 计,工艺设计 集成电路中的物理问题材料问题 ■■■■■■ Semiconductor Devices 2021/24
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 5 Semiconductor Devices ♦ 集成电路— 集成电路原理及其设计(线路设计,版图设 计,工艺设计); 集成电路中的物理问题,材料问题……
中国科学技术大学物理系微电子专业 半导体器件基本结构 (1)金半结 (2)PN结 (3)异质结 (4)MOS结构 Semiconductor Devices 2021/24
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 6 Semiconductor Devices 半导体器件基本结构 （1）金半结 （2）PN结 （3）异质结 （4）MOS结构
中国科学技术大学物理系微电子专业 平面工艺中主要工序 (1)外延生长 (2)氧化 (3)扩散 (4)离子注入 (5)光刻 Semiconductor Devices 2021/24
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 7 Semiconductor Devices 平面工艺中主要工序 （1）外延生长 （2）氧化 （3）扩散 （4）离子注入 （5）光刻
中国科学技术大学物理系微电子专业 半导体器件进展 History of Semiconductors 1821: Thomas see beck discovered semiconductor properties of Pbs 1833: Michael Faraday reported on conductivity temperature dependence for a new class of materials semiconductors Semiconductor Devices 2021/2/4
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 Semiconductor Devices 8 半导体器件进展
中国科学技术大学物理系微电子专业 语 1873: W. Smith discovered light sensitivity of semiconductors 1875: Werner von siemens invented a selenium photometer WERNER VON SIEMENS-1816-189Z 1878: Alexander graham Bell used this device for a wireless communication syst Semiconductor Devices 2021/2/4
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 Semiconductor Devices 9
中国科学技术大学物理系微电子专业 Bell's Telephone Semiconductor Devices 2021/2/4
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 Semiconductor Devices 10
中国科学技术大学物理系微电子专业 1907 Round demonstrated the first LEd (using sic 1947: Bardeen, Brattain, and Shockley discovered a Bipolar junction transistor and MOdeRN AGE BEGAN 加EuNE 750F JOHN BARDEEN Semiconductor Devices 2021/2/4
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/4 Semiconductor Devices 11
