式中E代表介质原子内的电场强度，其数量级约为 1010~1011V/m。 对于普通光源发射的光波，光矢量E103~104Vm, E/E,<1,所以近似有P≈aE。 对于强激光，光矢量E109~1012Vm,这时不能略 去P中所包含的E的高次项了。 一、倍频和混频 设入射到介质中的强光光矢量的大小 E=Eo cos ot,式中Ea代表介质原子内的电场强度，其数量级约为 1010~1011V/m。 对于普通光源发射的光波，光矢量E ≈103 ~104V/m, E/Ea<<1, 所以近似有P≈αE。 对于强激光，光矢量E ≈109 ~1012V/m，这时不能略 去P中所包含的E的高次项了。 一、倍频和混频 设入射到介质中的强光光矢量的大小 ,cos 0 = ωtEE