正好说明在前面的计算中选取c=2sin211°是合理的8)，HV60000-66000(N/mm2)的硬度 值也和文献中报导的含氢类金刚石薄膜(a:C-H)硬度上限大致符合11”，略低于天然金刚 石的硬度(HV70000~100000(N/mm2)11。 3结 论 (1)磁控溅射DLC的硬度与溅射工艺参数有关，随着赧射功率的降低，氩压的升高，靶 距的增加，DLC硬度升高，反之，硬度则降低。 (2)在控制D/t≈0.5时，在Si,衬底上淀积的DLC硬度在80W藏射功率下为 253000N/mm2,在300W时仍可达12300N/mm2,直至1200W功率下仍在5500N/mm左右， 仍与淬硬钢的水平相当。 (3)按照Johnson模型，对在200W射功率下同时沉积于不锈钢和单晶硅衬底上厚度 为0,30734m的DLC所作的计算表明，DLC的真实硬度在HV60000-66000(N/mm2)之间， 比天然金刚石的硬度略低。 (4),射DLC具有明显的ISE,其ISE指数约为m=1.9。 参考文献 1 Hsiao-chu Tsai and Bogy D B.J.Vac.Sci.Technol,,1987,A5:3287 2 Hsiao-chu Tsai and Bogy D B.J.Vac.Sci.Technol.,1988,A6:2307 3 Burnett P J and Rickerby D S.Thin Solid Files,1987,108:41 4 Burnett P J and Rickerby D S,Thin Solid Films,1987,148:51 5 Burnett P J and Page T F.J.Mater,Sci,,1984,19:845 6 Johnson B and Hogmark S.Thin Solid Films,1984,114:257 7 吕反修，黄原定，杨保雄，杨金旗。第三界全国真空技术学术讨论会论文集，武汉， 1989年3月，P50 8吕反修，黄原定，张建伟，杨金旗，李万通。第三界全国真空技术学讨论会论文集， 1989 9吕反修，黄原定，杨金旗，杨保雄。薄膜科学与技术，1989，(3)：1 10 Buckle,H,In:Westbrook J,W and Conrad H (eds).The Sci,of Hardness Testing and It's Resear.Appli.ASM.,Metals Park.OH.1973:453 11 Imuzuka T and Sawabe A.Diamond Thin Films.Tokyo:Indus,Publ,Corp, 1987:40 553正好说 明在前面的计算中选取 “ 是合理 的 〔 “ 〕 ， 一 “ 的 硬 度 值也和文献中报导的 含氢类 金 刚石 薄膜 一 硬 度上限 大致 符合 〔 ‘ 。 ’ “ ’ ， 略低于天然金刚 石的硬度 一 “ 〔 “ ’ 。 结 论 磁控溅射 的硬度 与溅射工艺参数有关 ， 随着溅射功率的降低 ， 氢压的升高 ， 靶 距的增加 ， 硬度升高 ， 反之 ， 硬度则降低 。 在控 制 刀 、 。 时 ， 在 ， 衬 底 上 淀 积 的 硬 度 在 溅 射 功 率 下 为 “ ， 在 时仍 可达 加 “ ， 直至 功率下仍在 “ 左右 ， 仍与淬硬钢的 水平相 当 。 按 照 模型 ， 对在 溅 射功 率下 同时沉积于不锈钢和 单 晶硅 衬底上厚度 为 。 召 的 所作的计算表 明 ， 的 真实硬 度在 一 “ 之间 ， 比天然金刚石的硬 度略低 。 溅射 具有明显的 ， 其 指数约为 。 参 考 文 献 一 。 ， ， 一 。 ， ， ， ， 。 ， ， 。 ， ， 。 ， ， 吕反修 ， 黄原定 ， 杨保雄 ， 杨金 旗 。 第三界全 国真空技 术学术讨论会论文 集 ， 武汉 ， 年 月 ， 吕反修 ， 黄原定 ， 张建伟 ， 杨金旗 ， 李万通 。 第三界全 国真空技 术学 讨论会论文 集 ， 吕反修 ， 黄 原定 ， 杨金旗 ， 杨保雄 薄膜科学与技术 ， ， ， ‘ 。 ， 住 。 。