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导电高分子的掺杂与无机半导体的掺杂的对比 无机半导体中的掺杂 导电高分子中的掺杂 本质是原子的替代 是一种氧化还原过程 掺杂量极低(万分之几) 掺杂量一般在百分之几到 百分之几十之间 掺杂剂在半导体中参与导 只起到对离子的作用,不 电 参与导电 没有脱掺杂过程 掺杂过程是完全可逆的导电高分子的掺杂与无机半导体的掺杂的对比 无机半导体中的掺杂 导电高分子中的掺杂 本质是原子的替代 是一种氧化还原过程 掺杂量极低(万分之几) 掺杂量一般在百分之几到 百分之几十之间 掺杂剂在半导体中参与导 电 只起到对离子的作用,不 参与导电 没有脱掺杂过程 掺杂过程是完全可逆的
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