UESTC 90年代ASIC、UISI和巨大规模集成 GS等代表更高技术水平的C不断涌现:并 成为C应用的主流产品。 IG DRAM(集成 度22109,芯片面积700mm2,特征尺 0.18μm,晶片直径200mm),2000年开始商 业化生产,2004年达到生产顶峰。集成电路 的规模不断提高,CPU(P4已超过4000万晶 体管,DRAM已达Gb规模。集成电路的速度 不断提高,采用0,13μ m CMos工艺实现的 CPU主时钟已超过2GHz,实现的超高速数 字电路速率已超过10Gb/s,射频电路的最高 工作频率已超过6GHz。22 90年代 ASIC、ULSI和巨大规模集成 GSI等代表更高技术水平的IC不断涌现，并 成为IC应用的主流产品。1 G DRAM (集成 度2.2∙109，芯片面积700mm2，特征尺寸 0.18μm，晶片直径200mm) ，2000年开始商 业化生产，2004年达到生产顶峰。集成电路 的规模不断提高，CPU(P4)己超过4000万晶 体管，DRAM已达Gb规模。集成电路的速度 不断提高，采用0.13μm CMOS工艺实现的 CPU主时钟已超过2GHz，实现的超高速数 字电路速率已超过10Gb/s，射频电路的最高 工作频率已超过6GHz