P、As等)就形成了电子型半导体,也称n型半导体。 空带 Ep 施主能级 △Eg 满带 图中掺入的五价P原子在晶体中替代Si的位置,构成与Si相同的四电子结 构,多出的一个电子在杂质离子的电场范围内运动。 由量子力学,杂质的(多余电子)的能级在禁带中,且紧靠空带(或导带,下同 图中能量差△~102eV, △<ΔE(禁带宽度) 施主( donor)能级:这种杂质能级因靠近空带,杂质价电子极易向空带跃迁。因向 空带供应自由电子,所以这种杂质能级称施主能级。因搀入杂质(即使很少),会 使空带中自由电子的浓度比同温下纯净半导体空带中的自由电子的浓度大很多 倍,从而大大增强了半导体的导电性能。 这种杂质半导体称电子型半导体或n型半导体 其导电机制:杂质中多余电子经激发后跃迁到空带(或导带)而形成的。 在n型半导体中 电子一多数载流子 空穴一少数载流子 (2)p型半导体 四价的本征半导体Si、Ge等掺入少量三价的杂质元素(如B、Ga、In等) 形成空穴型半导体,也称p型半导体 P型半导体 空带 受主能级88 P、As 等)就形成了电子型半导体，也称 n 型半导体。 图中掺入的五价 P 原子在晶体中替代 Si 的位置，构成与 Si 相同的四电子结 构，多出的一个电子在杂质离子的电场范围内运动。 由量子力学，杂质的(多余电子)的能级在禁带中，且紧靠空带(或导带，下同)。 图中能量差 ED～10-2 eV ， ED  Eg (禁带宽度) 施主(donor)能级：这种杂质能级因靠近空带，杂质价电子极易向空带跃迁。因向 空带供应自由电子，所以这种杂质能级称施主能级。因搀入杂质(即使很少)，会 使空带中自由电子的浓度比同温下纯净半导体空带中的自由电子的浓度大很多 倍，从而大大增强了半导体的导电性能。 这种杂质半导体称电子型半导体或 n 型半导体。 其导电机制：杂质中多余电子经激发后跃迁到空带(或导带)而形成的。 在 n 型半导体中， 电子 ─ 多数载流子 空穴 ─ 少数载流子 (2) p 型半导体 四价的本征半导体 Si、Ｇe 等掺入少量三价的杂质元素(如Ｂ、Ga、In 等) 形成空穴型半导体，也称 p 型半导体。 Si Si Si Si Si Si Si ΔED ΔEg 空 带 满 带 施主能级 P型半导体 B Si Si S i S i Si S ΔEg 空 带 受主能级