7.2.3.四种模式的气敏机理 /986 3.接触粒界势垒理论 本理论根据多晶半导体能带模型提出（多晶粒子界面有势垒存在） 飘粒界面 飘粒养面 (a)如实线所示，因吸附电子 电子接收双气体 C:H 电于供给型气体 接收性气体（氧化性气体） 新拉界西 而使势垒从虚线位置增高； ·(b)因吸附电子供给性气体 (还原性气体)而使势垒降 低； 价特 价 (C)吸附气体不使势垒发生多 (a 《) 大变化。 N型半导体晶粒接触界面 电子科技大学敏席材料与传廊器课程组 制电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 3. 接触粒界势垒理论 ❖ 本理论根据多晶半导体能带模型提出（多晶粒子界面有势垒存在） • (a)如实线所示，因吸附电子 接收性气体（氧化性气体） 而使势垒从虚线位置增高； • (b) 因吸附电子供给性气体 （还原性气体）而使势垒降 低； • (c) 吸附气体不使势垒发生多 大变化。 N型半导体晶粒接触界面 7.2.3. 四种模式的气敏机理