故面外p点合场强为: E 上述可形象地理解为:场大一倍之因在于无限大平板两侧发出的电力线(两 侧等量)、在导体情况下则集中于一侧(导体内E=0),使面外场加倍,而成为2 2、场图分布 借助于电力线、等势面等工具形象化描述导体存在时的场分布,主要是电力 线的应用,主要论证以下诸点: 「感应电荷的绝对值小于或等于施感电荷的绝对值 中性孤立导体的电势为零,表面电荷密度处处为零 中性导体B接近带正电的导体时,U升,U降(负电时反之) 孤立导体接地后,表面电荷密度处处为零。(非孤立时则不然) 例:如图2-6,q在内部的移动只影响腔内的场,不影响腔外的场,但q电 量的变化则影响内、外的场。内、外表面电荷分布在P点之场为 图2-6 外表面电荷在P点激发的场:9 内表面电荷在P点激发的场:9,这是因为腔内的q与 4IEo(r+d)2－1－7 故面外 p 点合场强为： E Ep ES Ep n p      2 0 2   合 = + = = 上述可形象地理解为：场大一倍之因在于无限大平板两侧发出的电力线（两 侧等量）、在导体情况下则集中于一侧（导体内 E = 0  ），使面外场加倍，而成为 0   。 2、场图分布 借助于电力线、等势面等工具形象化描述导体存在时的场分布，主要是电力 线的应用，主要论证以下诸点：          . ; ; ; 孤立导体接地后，表面电荷密度处处为零。（非孤立时则不然） 中性导体 接近带正电的导体 时， 升， 降（负电时反之） 中性孤立导体的电势为零，表面电荷密度处处为零 感应电荷的绝对值小于或等于施感电荷的绝对值 B A UB U A 例：如图 2-6，q 在内部的移动只影响腔内的场，不影响腔外的场，但 q 电 量的变化则影响内、外的场。内、外表面电荷分布在 P 点之场为 图 2-6 外表面电荷在 P 点激发的场： 2 4 0 r q  ； 内表面电荷在 P 点激发的场 ： 2 0 4 (r d) q  + ，这是因为腔内的 q 与 q －q q r P .0 . 导体 d