(1)了解均匀基区与缓变基区，理解晶体管的基区输运系数与发射结注入效率，掌握晶体管的 直流电流放大系数，理解发射区重掺杂效应，了解倒向晶体管，掌握埃伯斯-莫尔方程、晶体管直 流输入输出特性方程及特性图、基区宽度调变效应、晶体管的各种反向电流与击穿电压、理解基极 电阻，掌握交流小信号基区输运系数注入效率电流放大系数等随频率的变化关系，理解交流小信号 电流电压方程及等效电路、掌握高频晶体管的特征频率、最大功率增益与最高振荡频率。 (2)培养学生运用基本理论解决工程实际问题的能力，加强学生的思辨思维的培养。增强学生 的爱国情怀，鼓励学生投身国防事业，上国家建设的大舞台。 4教学重点与难点 本章的重点是均匀基区与缓变基区晶体管的直流电流放大系数，包括基区输运系数和发射结注 入效率的概念、发射区重掺杂效应、基区宽度调变效应、晶体管的直流电流电压方程及其简单应用、 晶体管中的各种反向电流和各种击穿电压、基极电阻的概念、晶体管的直流小信号电流电压方程与 等效电路。随频率变化的基区输运系数、随频率变化的电流放大系数、各种截止频率、特征频率及 与之有关的4个主要时间常数、特征频率的测量、晶体管的交流小信号电流电压方程、混合π等效 电路与T形等效电路、功率增益和最高振荡频率、设计高频管时要解决的几个主要矛盾、高频管的 结构。 本章的难点是晶体管内部的电流变化情形、缓变基区晶体管的内建电场、缓变基区晶体管的电 流密度与载流子分布、方块电阻与注入效率的关系、基区宽度随集电结电压的变化率、测量BVC0 时出现的负阻现象、晶体管的直流小信号电流电压方程的建立等。基区输运系数的精确公式、基区 输运系数与发射结扩散电容的关系、集电结耗尽层延迟时间、交流小信号电流电压方程的建立、T 形等效电路的转化、影响特征频率与功率增益的各种因素等。 5作业 本章习题：1、2、6、9、10、12、15、22、27、39、59、63、65 第四章绝缘栅场效应晶体管(16学时) 1教学内容 (I)人MOSFET基础 (2)MOSFET的阈电压 (3)、MOSFET的直流电流电压方程 (4)MOSFET的亚阈区导电 (⑤)MOSFET的直流参数及其与温度特性 (6)、MOSFET的小信号参数、高频等效电路及其频率特性（1）了解均匀基区与缓变基区，理解晶体管的基区输运系数与发射结注入效率，掌握晶体管的 直流电流放大系数，理解发射区重掺杂效应，了解倒向晶体管，掌握埃伯斯-莫尔方程、晶体管直 流输入输出特性方程及特性图、基区宽度调变效应、晶体管的各种反向电流与击穿电压、理解基极 电阻，掌握交流小信号基区输运系数注入效率电流放大系数等随频率的变化关系，理解交流小信号 电流电压方程及等效电路、掌握高频晶体管的特征频率、最大功率增益与最高振荡频率。 （2）培养学生运用基本理论解决工程实际问题的能力，加强学生的思辨思维的培养。增强学生 的爱国情怀，鼓励学生投身国防事业，上国家建设的大舞台。 4 教学重点与难点 本章的重点是均匀基区与缓变基区晶体管的直流电流放大系数，包括基区输运系数和发射结注 入效率的概念、发射区重掺杂效应、基区宽度调变效应、晶体管的直流电流电压方程及其简单应用、 晶体管中的各种反向电流和各种击穿电压、基极电阻的概念、晶体管的直流小信号电流电压方程与 等效电路。随频率变化的基区输运系数、随频率变化的电流放大系数、各种截止频率、特征频率及 与之有关的 4 个主要时间常数、特征频率的测量、晶体管的交流小信号电流电压方程、混合π等效 电路与 T 形等效电路、功率增益和最高振荡频率、设计高频管时要解决的几个主要矛盾、高频管的 结构。 本章的难点是晶体管内部的电流变化情形、缓变基区晶体管的内建电场、缓变基区晶体管的电 流密度与载流子分布、方块电阻与注入效率的关系、基区宽度随集电结电压的变化率、测量 BVCEO 时出现的负阻现象、晶体管的直流小信号电流电压方程的建立等。基区输运系数的精确公式、基区 输运系数与发射结扩散电容的关系、集电结耗尽层延迟时间、交流小信号电流电压方程的建立、T 形等效电路的转化、影响特征频率与功率增益的各种因素等。 5 作业 本章习题：1、2、6、9、10、12、15、22、27、39、59、63、65 第四章 绝缘栅场效应晶体管（16 学时） 1 教学内容 (1)、MOSFET 基础 (2)、MOSFET 的阈电压 (3)、MOSFET 的直流电流电压方程 (4)、MOSFET 的亚阈区导电 (5)、MOSFET 的直流参数及其与温度特性 (6)、MOSFET 的小信号参数、高频等效电路及其频率特性