(7)、短沟道效应 (8)新器件 2思政内容 (1)从萨之唐方程方程引出半导体领域的华裔科学家：萨之唐、胡正明、施敏等。 (2)引入案例：和华为公司合作的超结MOSFET项目，为华为公司找到了潜在的器件可靠性 风险。通过分享项目过程中的困难和挑战，让学生认识到踏实严谨的工作态度的重要性。 (3)陈星弼院士的“超结器件”的发明，是功率MOSFET领域的重大创新。 3教学要求 (I)理解MOSFET的基本结构与工作原理，掌握MOSFET的阈电压、非饱和区的直流输出特 性方程、饱和漏源电压与饱和漏极电流，理解有效沟道长度调制效应，了解MOSFET的亚阈区导 电特性，掌握MOSFET的温度特性、直流参数、击穿特性、小信号参数、频率特性及高频等效电 路，理解MOSFET的短沟道效应、了解微电子器件发展趋势以及新器件的基本原理。 (2)通过华裔科学家和本校院士的榜样力量，增强学生的自豪感，激励学生科研热情，向学生 传递踏实严谨、开拓创新、追求卓越的科学家精神，弘扬“求实求真、大气大为”的电子科大精 神。 4教学重点与难点 本章的重点是MOSFET的基本结构与工作原理、MOSFET的阈电压及影响阈电压的各种因素、 衬底偏置效应、MOSFET在线性区与饱和区的直流电流电压方程、沟道长度调制效应、MOSFET 的亚阈特性、MOSFET的各种击穿电压、MOSFET直流参数的温度特性、MOSFET的小信号参数 与高频等效电路、短沟道效应及其防止措施。 本章的难点是MOSFET阈电压的推导、MOSFET线性区精确的直流电流电压方程的建立、对 沟道夹断的理解、MOSFET的高频等效电路及其频率特性、各种短沟道效应等。 4作业 本章习题：1、3、4、6、7、9、11 (二)自学内容和要求 1自学内容 (1)耗尽近似和中性近似的适用性 (2)双极结型晶体管的功率特性 (3)半导体异质结器件 (4)二极管、BTJ和MOSFET的SPICE模型(7)、短沟道效应 (8)、新器件 2 思政内容 （1）从萨之唐方程方程引出半导体领域的华裔科学家：萨之唐、胡正明、施敏等。 （2）引入案例：和华为公司合作的超结 MOSFET 项目，为华为公司找到了潜在的器件可靠性 风险。通过分享项目过程中的困难和挑战，让学生认识到踏实严谨的工作态度的重要性。 （3）陈星弼院士的“超结器件”的发明，是功率 MOSFET 领域的重大创新。 3 教学要求 （1）理解 MOSFET 的基本结构与工作原理，掌握 MOSFET 的阈电压、非饱和区的直流输出特 性方程、饱和漏源电压与饱和漏极电流，理解有效沟道长度调制效应，了解 MOSFET 的亚阈区导 电特性，掌握 MOSFET 的温度特性、直流参数、击穿特性、小信号参数、频率特性及高频等效电 路，理解 MOSFET 的短沟道效应、了解微电子器件发展趋势以及新器件的基本原理。 （2）通过华裔科学家和本校院士的榜样力量，增强学生的自豪感，激励学生科研热情，向学生 传递踏实严谨、开拓创新、追求卓越的科学家精神，弘扬“求实求真、大气大为” 的电子科大精 神。 4 教学重点与难点 本章的重点是 MOSFET 的基本结构与工作原理、MOSFET 的阈电压及影响阈电压的各种因素、 衬底偏置效应、MOSFET 在线性区与饱和区的直流电流电压方程、沟道长度调制效应、MOSFET 的亚阈特性、MOSFET 的各种击穿电压、MOSFET 直流参数的温度特性、MOSFET 的小信号参数 与高频等效电路、短沟道效应及其防止措施。 本章的难点是 MOSFET 阈电压的推导、MOSFET 线性区精确的直流电流电压方程的建立、对 沟道夹断的理解、MOSFET 的高频等效电路及其频率特性、各种短沟道效应等。 4 作业 本章习题：1、3、4、6、7、9、11 （二）自学内容和要求 1 自学内容 (1) 耗尽近似和中性近似的适用性 (2) 双极结型晶体管的功率特性 (3) 半导体异质结器件 (4) 二极管、BTJ 和 MOSFET 的 SPICE 模型