2、齐纳击穿： 发生在掺杂浓度较高的PN结中，当PN结两边的掺杂浓 度很高时，PN结将变得很薄，此时碰撞机会很小，不容易发 生碰撞电离。 但这种结构不用加太大的反向电压，就能建立很强的 电场，足以把PN结内中性原子的价电子直接从共价键中拉 出来，产生新的自由电子一空穴对，这种过程称作场致激发， 场致激发能产生大量的载流子，是通过P结的反向电流剧 增，呈现反向击穿现象。 小结： (1)、雪崩击穿的击穿电压较高，其值随掺杂浓度降低而增大。 (2)、齐纳击穿的击穿电压较低，其值随掺杂浓度增大而减小。2、齐纳击穿： 发生在掺杂浓度较高的PN结中，当PN结两边的掺杂浓 度很高时，PN结将变得很薄，此时碰撞机会很小，不容易发 生碰撞电离。 但这种结构不用加太大的反向电压，就能建立很强的 电场，足以把PN结内中性原子的价电子直接从共价键中拉 出来，产生新 的自由电子–空穴对，这种过程称作场致激发， 场致激发能产生大量的载流子，是通过PN结的反向电流剧 增，呈现反向击穿现象。 小结： （1）、雪崩击穿的击穿电压较高，其值随掺杂浓度降低而增大。 （2）、齐纳击穿的击穿电压较低，其值随掺杂浓度增大而减小