掺杂人为地将所需要的 杂质以一定的方式(热扩 散、离子注入)掺入到硅 片表面薄层,并使其达到 热扩散 规定的数量和符合要求的 分布形式,是改变器件 “丛向”结构的重要手段 不仅可以制造PN结,还 可以制造电阻、互连线等 和外延掺杂的最大区别是离子源一- 实现“定域”,而不是大 面积的均匀掺杂。如图 49所示。 离子注入掺杂 人为地将所需要的 杂质以一定的方式（热扩 散、离子注入）掺入到硅 片表面薄层，并使其达到 规定的数量和符合要求的 分布形式，是改变器件 “丛向”结构的重要手段， 不仅可以制造PN结，还 可以制造电阻、互连线等。 和外延掺杂的最大区别是 实现“定域” ，而不是大 面积的均匀掺杂。如图 4.9所示。 热扩散 离子源 离子注入