Generated by Foxit PDF Creator Foxit Soft ttp//www.foxitsoftware.comForevaluation BIBO DRAM单元结构 1+C/C 金属字线 电容极 N-SI 性能优值:增加存 像(反型层 储单元电容值 p 面积优值:减小单 电容极板 元占用面积 利用立体结构在不 增加平面面积情况 下,增加存储电容 利用高K材料增加存 Metal word line 储电容 Field Oxide Poly te bl8 DRAM单元结构  性能优值：增加存 储单元电容值  面积优值：减小单 元占用面积  利用立体结构在不 增加平面面积情况 下，增加存储电容  利用高K材料增加存 储电容 1 0 1 0 1 1 B BB S S S B S V V V T V V V C C         Metal word line Poly SiO2 Field Oxide n+ n+ Inversion layer induced by plate bias Poly Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only