Ic C CBO B 与其有关的载流子流有： c由基区非平衡少子电子，在外电场作用下，形成的漂 移电子电流。 Icp由集电区中热平衡少子空穴，在外电场作用下，形成 的漂移空穴电流。 cm由基区中热平衡少子电子，在外电场作用下，形成的 漂移电子电流。 总的载流子电流为：lcnl+cp+Lcn2与其有关的载流子流有： ICn1 由基区非平衡少子电子，在外电场作用下，形成的漂 移电子电流。 ICp 由集电区中热平衡少子空穴，在外电场作用下，形成 的漂移空穴电流。 ICn2 由基区中热平衡少子电子，在外电场作用下，形成的 漂移电子电流。 总的载流子电流为： ICn1 + ICp + ICn2 E C B P N IEp IEn R2 V V2 1 R1 ICp ICn2 ICn1 IC IB IE ICBO + N