41.3绝缘栅场效应管 (2)工作原理 I:如果los=0,uns>0则D极与衬底之间的PN结反偏, 漏源之间没有导电沟道, i=o D I:若uns=0,ua>0 ls→产生由G极垂直指向P型衬底的电场 排斥空穴,吸引电子 当uo=Um)(临界电压,开启电压)→>电场使P区 DS 内电子吸引到O2表面形成一个N型薄层(称反型层) G D 显然:um个→反型层个 ugs D 在nDs作用下 N型沟道电阻 可见us对ip有控制作用。 返回…………………… 4.1.3 绝缘栅场效应管 (2) 工作原理 I：如果 uGS = 0 ， uD S  0 则 D 极与衬底之间的 PN 结反偏， 漏源之间没有导电沟道， i 0 D = uGS N+ S G D P N+ II：若uDS = 0 ，uGS  0 uGS → 产生由 G 极垂直指向 P 型衬底的电场 → 排斥空穴，吸引电子 当 uGS = UGS ( t h ) （临界电压，开启电压）→ 电场使 P 区 内电子吸引到 Si O2 表面形成一个 N 型薄层（称反型层）。 显然：uGS  →反型层 → N 型沟道电阻  ⎯⎯⎯⎯⎯→ 在uD S作用下 i D  可见uGS 对 D i 有控制作用。 uDS iD 返回