1E型 N MOSFET的工作原理 GD (1)E型 N MOSFET结构及电路符号 S: O2 在一块P型硅衬底上扩散两个高T—T 掺杂的N型区,分别作为源极S和漏 极D,在S和D之间的P型衬底平面 P 上利用氧化工艺生长一层薄的SO2绝 缘层,并引出G,在衬底上引出接触 衬底引线 电极一衬底(引线)电极。 般:当ug=0时,D,S之间无导电沟道存在〉增强型(E型) 当ugs=0时,D,S之间有导电沟道存在>耗尽型(D型) E型 NMOSFET E型 P MOSFET D型 NMOSFET D型 P MoSFEt 返回衬底引线 P SiO2 1 E型N MOSFET的工作原理 N+ N+ S G D (1) E 型 N MOSFET 结构及电路符号 在一块 P 型硅衬底上扩散两个高 掺杂的 N 型区，分别作为源极 S 和漏 极 D，在 S 和 D 之间的 P 型衬底平面 上利用氧化工艺生长一层薄的 Si O2绝 缘层，并引出 G，在衬底上引出接触 电极－衬底（引线）电极。 一般： 当u 0 GS = 时 ，D,S 之间无导电沟道存在→ 增强型（E 型 ） 当u 0 GS = 时 ，D,S 之间有导电沟道存在→ 耗尽型（D 型 ） E型N MOSFET E型PMOSFET D型N MOSFET D型PMOSFET 返回