§3.2 MOSFET CMOS工艺，掺杂区同时存在施主和受主，其极性由占优 势的类型决定。 N型区：N>N, 载流子密度：多子nn≈Na-N。 少子pn≈ n -/cm3 a-Na P型区：N>N 载流子密度：多子 pp≈N。-Na 少子np≈ 尾1cm2 Na-Na 全补偿：N=W,此时由于掺杂的数量非零，它的迁移率 将小于本征值。 2018-9-5 第3章CMOS集成电路的物理结构 21 §3.2 MOSFET PN结 1=0 n n 4I=0 (a)A pn junction (b)Forward current (b)Reverse blocking Figure 3.15 Formation and characteristics of a pn junction PN结的特点：单向导电性 2018-9-5 第3章CMOS集成电路的物理结构 222018-9-5 第3章 CMOS集成电路的物理结构 21 • CMOS工艺，掺杂区同时存在施主和受主，其极性由占优 势的类型决定。 • N型区：Nd>Na, 载流子密度：多子 少子 • P型区：Na >Nd 载流子密度：多子 少子 nn ≈ Nd − Na 3 2 / cm d a i n N N n p − ≈ p p ≈ Na − Nd 3 2 / cm a d i p N N n n − ≈ §3.2 MOSFET 全补偿：Nd=Na ，此时由于掺杂的数量非零，它的迁移率 将小于本征值。 2018-9-5 第3章 CMOS集成电路的物理结构 22 §3.2 MOSFET PN结 PN结的特点：单向导电性