积内第m种元上的总氰面为 ∑"(E)=pno"(E) 假如村料中有多种元景,该中子与村料作用的总微面为 ∑,(E)=∑Em 假定中子与某一原子被散射后的分布表示为dG(E)4,当射 角分布对方位角是各向同性时,方角口可以被积萍,脊到微 分散射薇面do(E)/d(os0)。无论微分戴窗do(E)或者 dσ(E)d(os),我们部可以得到相蠃的理论公式。 设在O点有一个能量为E的中子兽直入射到物质层中。我仉 记录这时该中子的状世形为50=(x0=0, Eo. cos e=1),经过第一次 碰撞后散射到状庵世形S1=(x1,E1,cos1),再经过第二次磁撞后射 到状形s2=(x2,E2,cosB2),…,如此我们依次记下该中子在物 败层中动历史上的形点的孰遼 S0→)S1→S2…→SM 直到在米庵。该中子被物质屈吸收。射背射出来。或者在 s处该中子的能量E氐于某一,则程序就停止跟腺。 親在我仉讨论程序如何具体模拟暇麝这个运动历翟 物始状忞位形如前所逃已給出,假定为 s0=(x0=0,E0,cos0=1) 现在要由位形31=(x-1,E1osO-)确突下一个状庵位形 s,=(x,E;,cos)。 我们采用如下步骤来确定状乏的各个參数:积内第m 种元素上的总截面为 (cos Ms G = 0 Ei , (E) (E m m t m Σt = ρ σ ). 假如材料中有多种元素，该中子与材料作用的总截面为: Σ ( ) = ∑Σ ( ) m m t E t E . 假定中子与某一原子核散射后的角分布表示为dσ (E)/ dΩ，当散射 角分布对方位角ϕ 是各向同性时，方位角ϕ 可以被积掉，得到微 分散射截面 dσ ( ) E / d(cosθ ) 。无论微分截面 dσ ( ) E / dΩ 或 者 dσ ( ) E / d θ )，我们都可以得到相应的理论公式。 设在O点有一个能量为 的中子垂直入射到物质层中。我们 记录这时该中子的状态位形为 E0 ( 0, ,cos 1) s0 = x0 = E0 θ 0 = G ，经过第一次 碰撞后散射到状态位形 ( ) 1 1 ,cos 1 1 s = x , E θ G 2 ，再经过第二次碰撞后散射 到状态位形 ( 2 2 2 s = x , E ,cosθ ) G ，…，如此我们依次记下该中子在物 质层中运动历史上的位形点的轨迹： M s s s s G G G G 0 → 1 → 2 ⋅⋅⋅ → . 直到在 状态，该中子被物质层吸收，透射或背射出来，或者在 sM 处该中子的能量 低于某一阈值，则程序就停止跟踪。 G EM 现在我们讨论程序如何具体模拟跟踪这个运动历程。 初始状态位形如前所述已经给出，假定为 s0 = ( ) x0 , E0 ,cosθ 0 = 1 G 。 现在要由位形 ( ) 1 1 1 1 , ,cos i− = i− Ei− i− s x θ G 确定下一个状态位形 ( ) i i i s = x , cosθ G 。 我们采用如下步骤来确定状态 i s G 的各个参数：