3、在常温下，硅二极管的开启电压约V,导通后在较大电流下的正向压 降约V:锗二极管的开启电压约V,导通后在较大电流下的正向压降约 4、场效应管从结构上分成 和 两大类型 它们的导电过程仅仅取决于 载流子。 5、场效应管属于」 控制型器件。 6、双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参于导电。 7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作 时有和两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成和 两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。 8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路 来分析则可以认为是 控制型器件。 9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏 置。 10、晶体管穿透电流Im是集-基反向饱和电流1的倍。在选用管子 时，一般希望1m尽量 11、某晶体管的极限参数P150m,a100mA,Umw30V。若它的工作电 压=IOV,则工作电流不得超过mA:若工作电压UCE=1V,则工作电流不 得超过一mA:若工作电流I=1mA,则工作电压不得超过V。 12、己知某晶体管的f=150MHz,B=50,则当其工作频率为50Mz时 B。 1.26对于硅二极管： 1、在室温下，当反向电流达到其反向饱和电流1.的95%时，反向电压是多 少？ 2、计算偏压为+0.1V和-0.1V时，相应的正向电源和反向电流的比的绝对值。 3、设反向饱和电流为10m4,计算电压为0.6Y时的电流，并说明此结果与 实际不符的原因。 1.27指出以下几种半导体器件中，哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管， 哪些是硅稳压管：3AX22,2CZ11,3DG4.2AP6,3DJ13,2CP10,3D01,2CW11。 3、在常温下，硅二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压 降约 V；锗二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。 4、场效应管从结构上分成 和 两大类型。 它们的导电过程仅仅取决于 载流子。 5、场效应管属于 控制型器件。 6 、 双 极 型 晶 体 管 从 结 构 上 看 可 以 分 成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参于导电。 7、双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型，它们工作 时有 和 两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成 和 两大类型，它们的导电过程仅仅取决于 载流子的流动。 8、场效应管属于 控制型器件，而晶体管若用简化的 h 参数等效电路 来分析则可以认为是 控制型器件。 9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏 置。 10、晶体管穿透电流 ICEO是集-基反向饱和电流 ICB O的 倍。在选用管子 时，一般希望 ICEO尽量 。 11、某晶体管的极限参数 PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CED=30V。若它的工作电 压 UCE=10V，则工作电流 IC不得超过 mA；若工作电压 UCE=1V，则工作电流不 得超过 mA；若工作电流 IC=1mA，则工作电压不得超过 V。 12、已知某晶体管的 fT=150MHz， 0  = 50 ，则当其工作频率为 50MHz 时 | |   。 1.26 对于硅二极管： 1、在室温下，当反向电流达到其反向饱和电流 Is的 95%时，反向电压是多 少？ 2、计算偏压为+0.1V 和-0.1V 时，相应的正向电源和反向电流的比的绝对值。 3、设反向饱和电流为 10mA，计算电压为 0.6V 时的电流，并说明此结果与 实际不符的原因。 1.27 指出以下几种半导体器件中，哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管， 哪些是硅稳压管：3AX22，2CZ11，3DG4。2AP6，3DJ13，2CP10，3DO1，2CW11