第一章常用半导体器件 1.1在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体 管的类型是 [] A.NPN型硅管 B. PNP型硅管 C.NPN型锗管 图1.1 2v 6v D.PNP型锗管 1.3V 1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[] A.饱和 +6v B.放大 C.截止 图1.2 D.已损坏 .3在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整 到V=1OV,则电流的大小将是 [] A.I=2mA B.I2mA D.不能确定 图1.3 1.4在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。当温度为20℃时测得二极管的电压 Uw=0.7V。当温度上生到为40℃时，则的大小将是 A.仍等于0.7V B.大于0.7V C.小于0.7V D.不能确定 图1.4 1.5在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A.温度 B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷 1.6对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 A.Iao B.Ics C.Io D.Ico 1.7二极管的主要特性是 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性
第一章 常用半导体器件 1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图 1.1 所示，该晶体 管的类型是 [ ] A. NPN 型硅管 B. PNP 型硅管 C. NPN 型锗管 图 1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V 1.2 某三极管各个电极的对地电位如图 1-2 所示，可判断其工作状态是[ ] A. 饱和 B. 放大 C. 截止 图 1.2 D. 已损坏 1.3 在如图 1.3 所示电路中，当电源 V=5V 时，测得 I=1mA。若把电源电压调整 到 V=10V，则电流的大小将是 [ ] A.I=2mA B.I2mA D.不能确定 图 1.3 1.4 在如图 1-7 所示电路中电源 V=5V 不变。当温度为 20O C 时测得二极管的电压 UD=0.7V。当温度上生到为 40O C 时,则 UD 的大小将是 [ ] A.仍等于 0.7V B.大于 0.7V C. 小于 0.7V D.不能确定 图 1.4 1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ] A.ICBO B.ICES C.ICER D.ICEO 1.7 二极管的主要特性是 [ ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性
1.8温度升高时，晶体管的反向饱和电流I将 [] A.增大 B减少 C.不变 D.不能确定 1.9下列选项中，不属三极管的参数是 [] A.电流放大系数B B.最大整流电流I, C.集电极最大允许电流Ia D.集电极最大允许耗散功率P。 1.10温度升高时，三极管的B值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.11在N型半导体中，多数载流子是 [] A.电子B.空穴C离子D.杂质 1.12下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [] A正向电阻小反向电阻大 B.正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D.正向电阻反向电阻都大 1.13在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和 电流为0.1mA,反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电 路中的电流I等于 ] A.0.1 mA B.2.5mA C.5mA D.15 mA 101 图1.13 1.14在P型半导体中，多数载流子是 1 A.电子 B.空穴 C.离子 D.杂质 1.15下列对场效应管的描述中，不正确的是 [] A场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点： B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET: C场效应窄 作时 少子均参与导电 D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的 [] A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区 1.17表征场效应管放大作用的重要参数是 [] A.电流放大系数B B.跨导g=△I/△Ue C.开启电压 D.直流输入电阻Rs
1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流 ICBO将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.9 下列选项中，不属三极管的参数是 [ ] A.电流放大系数β B.最大整流电流 IF C.集电极最大允许电流 ICM D.集电极最大允许耗散功率 PCM 1.10 温度升高时，三极管的β值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.11 在 N 型半导体中，多数载流子是 [ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 1.13 在如图 1.13 所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和 电流为 0.1 mA, 反向击穿电压为 25V 且击穿后基本不随电流而变化，这时电 路中的电流 I 等于 [ ] A. 0.1 mA B. 2.5mA C. 5mA D. 15 mA 图 1.13 1.14 在 P 型半导体中，多数载流子是 [ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B 场效应管的两种主要类型是 MOSFET 和 JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电； D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的 [ ] A.可变电阻区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是 [ ] A.电流放大系数β B.跨导 gm=ΔID/ΔUGS C.开启电压 UT D.直流输入电阻 RGS
1.18下列选项中，不属场效应管直流参数的是 [] A.饱和漏极电流Iss B.低频跨导g, C.开启电压 D.夹断电压n 1.19双极型晶体三极管工作时参与导电的是 ] A多子 B少子 C多子和少子 D多子或少子 1.20双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 「1 A发射结正偏，集电结正偏 B发射结正偏，集电结反偏 发射结反偏，集电结反偏 D发射结反偏，集电结正偏 1.21选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、…)。 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子 的浓度则与有很大关系，(a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺 陷) 2、当P州结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层一。当 PW结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层一。(a.大于，b.小 于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变) 3、温度升高时，晶体管的电流放大系数B,反向饱和电流Im, 正向结电压U 。(a.变大，d.变小，c.不变) 4、温度升高时，品体管的共射输入特性曲线将一，输出特性曲线将 而且输出特性曲线之间的间隔将一。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e. 增大，￡减小，g.不变) 1.22用大于号（◇）、小于号(《)或等号(=)填空： 1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度： 2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度： 3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。 1.23判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。 1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。( 2、在N型半导体中，摻入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。() 3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。( 4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。() 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。()
1.18 下列选项中，不属场效应管直流参数的是 [ ] A.饱和漏极电流 IDSS B.低频跨导 gm C.开启电压 UT D.夹断电压 UP 1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是 [ ] A 多子 B 少子 C 多子和少子 D 多子或少子 1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 [ ] A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏 C 发射结反偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏 1.21 选择括号中的答案填空（只填答案 a、b、c、……）。 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子 的浓度则与 有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺 陷） 2、当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。(a.大于，b.小 于，c.等于，d.变宽，e.变宽 f.不变) 3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β ，反向饱和电流 ICBO ， 正向结电压 UBE 。(a.变大，d.变小，c.不变) 4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ， 而且输出特性曲线之间的间隔将 。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e. 增大，f.减小，g.不变) 1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空： 1、在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度； 2、在 P 型半导体中，电子浓度 空穴浓度； 3、在 N 型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 1.23 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。 1、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为 P 型半导体。（ ） 3、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ） 4、PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）
6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电 流流过。() T、PN结方程可以描述PW结在的正向特性和反向特性，也可以描述PW结的 反向击穿特性。( 8、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 9、通常的JFET管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。() 10、有人测得某品体管的U=0.7V,I=20μA,因此推算出r.=Um/I=0.7V/20 μA=35k2。 1、有人测得晶体管在U=0.6V,I=5μA,因此认为在此工作点上的I大 约为26mV/1=5.2kQ。 12、有人测得当U=0.6V,I=10μA。考虑到当U=0V时I=0因此推算得到 -△g-06-0-60k0 △。10-0 1.24选择正确的答案填空： 1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型 还是PNP型)与三个电极时以测出最为方便。 a.中极间电阻 b.各极对地电位c.各极电流 2、一个硅二极管在正向电压0.6V时，正向电流I=10mA。若增大到 0.66V(即增加10%)，则电流L。 a.约为11mA(也增加10%)： b.约为20mA(增大1倍)： c.约为100mA(增大到原先的10倍)：d.仍为10mA(基本不变) 3、设电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电压=0.7V。 当温度上升到40℃时，则的大小将是 a./=2mA b.K2mA C.D2mA 1.25填空： 1、半导体中载流子的基本运动形式有： 和 2、二极管的最主要特性是一，它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向的特性的
6、由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把 PN 结两端短路时就有电 流流过。（ ） 7、PN 结方程可以描述 PN 结在的正向特性和反向特性，也可以描述 PN 结的 反向击穿特性。（ ） 8、通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （ ） 9、通常的 JFET 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ ） 10、有人测得某晶体管的 UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出 rbe=UBE/IB=0.7V/20 μA=35kΩ。 （ ） 11、有人测得晶体管在 UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的 rbe大 约为 26mV/IB=5.2kΩ。 （ ） 12、有人测得当 UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当 UBE=0V 时 IB=0 因此推算得到 0.6 0 60( ) 10 0 BE be B U r k I − = = = − （ ） 1.24 选择正确的答案填空： 1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指 NPN 型 还是 PNP 型）与三个电极时以测出 最为方便。 a.中极间电阻 b.各极对地电位 c.各极电流 2、一个硅二极管在正向电压 UD=0.6V 时，正向电流 ID=10mA。若 UD 增大到 0.66V（即增加 10%），则电流 ID 。 a.约为 11mA（也增加 10%）； b.约为 20mA（增大 1 倍）； c.约为 100mA（增大到原先的 10 倍）； d.仍为 10mA（基本不变）。 3、设电路中保持 V=5V 不变，当温度为 20℃时测得二极管的电压 UD=0.7V。 当温度上升到 40℃时，则 UD的大小将是 。 a. I=2mA b. I2mA 1.25 填空： 1、半导体中载流子的基本运动形式有： 和 。 2、二极管的最主要特性是 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向的特性的
3、在常温下，硅二极管的开启电压约V,导通后在较大电流下的正向压 降约V:锗二极管的开启电压约V,导通后在较大电流下的正向压降约 4、场效应管从结构上分成 和 两大类型 它们的导电过程仅仅取决于 载流子。 5、场效应管属于」 控制型器件。 6、双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参于导电。 7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作 时有和两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成和 两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。 8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路 来分析则可以认为是 控制型器件。 9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏 置。 10、晶体管穿透电流Im是集-基反向饱和电流1的倍。在选用管子 时，一般希望1m尽量 11、某晶体管的极限参数P150m,a100mA,Umw30V。若它的工作电 压=IOV,则工作电流不得超过mA:若工作电压UCE=1V,则工作电流不 得超过一mA:若工作电流I=1mA,则工作电压不得超过V。 12、己知某晶体管的f=150MHz,B=50,则当其工作频率为50Mz时 B。 1.26对于硅二极管： 1、在室温下，当反向电流达到其反向饱和电流1.的95%时，反向电压是多 少？ 2、计算偏压为+0.1V和-0.1V时，相应的正向电源和反向电流的比的绝对值。 3、设反向饱和电流为10m4,计算电压为0.6Y时的电流，并说明此结果与 实际不符的原因。 1.27指出以下几种半导体器件中，哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管， 哪些是硅稳压管：3AX22,2CZ11,3DG4.2AP6,3DJ13,2CP10,3D01,2CW11
3、在常温下，硅二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压 降约 V；锗二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。 4、场效应管从结构上分成 和 两大类型。 它们的导电过程仅仅取决于 载流子。 5、场效应管属于 控制型器件。 6 、 双 极 型 晶 体 管 从 结 构 上 看 可 以 分 成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参于导电。 7、双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型，它们工作 时有 和 两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成 和 两大类型，它们的导电过程仅仅取决于 载流子的流动。 8、场效应管属于 控制型器件，而晶体管若用简化的 h 参数等效电路 来分析则可以认为是 控制型器件。 9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏 置。 10、晶体管穿透电流 ICEO是集-基反向饱和电流 ICB O的 倍。在选用管子 时，一般希望 ICEO尽量 。 11、某晶体管的极限参数 PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CED=30V。若它的工作电 压 UCE=10V，则工作电流 IC不得超过 mA；若工作电压 UCE=1V，则工作电流不 得超过 mA；若工作电流 IC=1mA，则工作电压不得超过 V。 12、已知某晶体管的 fT=150MHz， 0 = 50 ，则当其工作频率为 50MHz 时 | | 。 1.26 对于硅二极管： 1、在室温下，当反向电流达到其反向饱和电流 Is的 95%时，反向电压是多 少？ 2、计算偏压为+0.1V 和-0.1V 时，相应的正向电源和反向电流的比的绝对值。 3、设反向饱和电流为 10mA，计算电压为 0.6V 时的电流，并说明此结果与 实际不符的原因。 1.27 指出以下几种半导体器件中，哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管， 哪些是硅稳压管：3AX22，2CZ11，3DG4。2AP6，3DJ13，2CP10，3DO1，2CW11
1.28甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表1.28所示，你认为哪一个二 极管的性能最好？请在相应的括号内画√（只允许画一个）。 表1.28 管号 加0.5V正向电压时的电流 加反向电压时的 电流 哪个性能最好？ 甲 0.5mA 1μA 7 5mA 0.1uA 丙 2mA 1.29在表1.29中，比较晶体管和场效应管两种器件的性能，在你认为正确的 栏中画√： 表1.29 性能 晶体管 场效应管 静态输入电流哪个小些？ 放大作用哪个大些（静态电流相同时）？ 受温度影响哪个小些？ 1.30在某放大电路中，品体管三个电极的电流如图1.30所示。已量出 I=-1.2mA,=-0.03mA,=1.23mA。由此可知： 1、电极①是极，电级②是极，电极③是极。 2、此晶体管的电流放大系数阝约为 3、此晶体管的类型是 型(PNP或NPN)。 ①&、h TO ·② 图1.30 1.31测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示 0.1 e1
1.28 甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表 1.28 所示，你认为哪一个二 极管的性能最好？请在相应的括号内画√（只允许画一个）。 表 1.28 管号 加 0.5V 正向电压时的电流 加反向电压时的 电流 哪个性能最好？ 甲 0.5mA 1μA ( ) 乙 5mA 0.1μA ( ) 丙 2mA 5μA ( ) 1.29 在表 1.29 中，比较晶体管和场效应管两种器件的性能，在你认为正确的 栏中画√： 表 1.29 性能 晶体管 场效应管 静态输入电流哪个小些？ 放大作用哪个大些（静态电流相同时）？ 受温度影响哪个小些？ 1.30 在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图 1.30 所示。已量出 I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。由此可知： 1、电极①是 极，电级②是 极，电极③是 极。 2、此晶体管的电流放大系数 约为 。 3、此晶体管的类型是 型（PNP 或 NPN）。 1.31 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示 l1 l2 l3 T ① ② ③ 图 1.30
(1)判断它们各是PN管还是PNP管，在图中标出e,b,c极 (2)估算()图品体管的B和值。 1.32判断各图1.32中二极管导通状态，并标出U,的值。各二极管导通电压 U=0.7。 704 45v 02 兰V1 V2 9 6V 12 图132 1.33己知晶体管工作在放大区，并测得各电极对地电位如图1.33所示。试在 图中画出各晶体管的电路符号，并说明是锗管还是硅管。 -8V 0.7Wo -0.7v 图133 1.34写出品体管在共基接法下的电流分配关系式ic=f(i): 。写出晶体管在共射接法下的电流分配关系 式ic=f(i): 1.35NPN型晶体管在什么情况下I=-c?设电流正方向为流向电极。 1.36下列四组晶体三极管的关系式分别代表三极管的什么特性曲线？ 1、ie=f(ues)1Uos(供_极输_特性)： 2、←=fu川1e(供_极输_特性)： 3、iB=f(uE)IUcE (共极输特性)：
（1）判断它们各是 NPN 管还是 PNP 管，在图中标出 e，b，c 极； （2）估算(b)图晶体管的 和 值。 1.32 判断各图 1.32 中二极管导通状态，并标出 Uo 的值。各二极管导通电压 UD = 0.7V。 1. 33 已知晶体管工作在放大区，并测得各电极对地电位如图 1.33 所示。试在 图中画出各晶体管的电路符号，并说明是锗管还是硅管。 1.34 写出晶体管在共基接法下的电流分配关系式 ic=f(iE)： 。写出晶体管在共射接法下的电流分配关系 式 ic=f(iB)： 。 1.35 NPN 型晶体管在什么情况下 IB=-Ic？设电流正方向为流向电极。 1.36 下列四组晶体三极管的关系式分别代表三极管的什么特性曲线？ 1、 ( ) | E EB CB i f u U = (共 极输 特性)； 2、 ( ) | C CB E i f u I = (共 极输 特性)； 3、 ( ) | B BE CE i f u U = (共 极输 特性)； 图 1.32 图 1.33
4、ie=fuE)川1g(共极输特性)： 1.37写出晶体三极管a与B之间的关系式。 1.38扼要回答PN结、双极型晶体管和场效应管的主要特性及其相对应的主要用 1.39计算： 1.己知品体管的电流放大系数a严0.98,1=lA,求a。设忽略lao 2.已知场效应管的IDSS=5mA,Usom=-4Y,求当Ues=-2V时的g。 1.40两个2CW15型稳压管，其稳定电压分别是8v和7.5V,正向压降为0.7V。 如果把这两个稳压管串联，试问可能得到几种不同的稳压值（画出电路加以 表示)？ 1.41电路如图1.41所示，若U=10V,R=1002,稳压管Dz的稳定电压2=6V,允 许电流的变动范围是Izmins=5mA,Izmax=30mA,求负载电阻R的可变范围。 IR 图1.4101 1.42二极管电路如图1.42(a)所示，设二极管为理想的。 (1)试求电路的传输特性(%一特性)，画出%一波形： (2)假定输入电压如图1.42(b)所示，试画出相应的波形。 0+ 52 图1.42
4、 ( ) | C CE B i f u I = (共 极输 特性)； 1.37 写出晶体三极管α与β之间的关系式。 1.38 扼要回答 PN 结、双极型晶体管和场效应管的主要特性及其相对应的主要用 途。 1.39 计算： 1.已知晶体管的电流放大系数 a=0.98，Ic=1mA，求 IB。设忽略 ICBO。 2. 已知场效应管的 IDSS=5mA，UGS(off)=-4V，求当 UGS=-2V 时的 gm。 1.40 两个 2CW15 型稳压管，其稳定电压分别是 8V 和 7.5V，正向压降为 0.7V。 如果把这两个稳压管串联，试问可能得到几种不同的稳压值（画出电路加以 表示）？ 1.41 电路如图 1.41 所示，若 UI=10V，R=100，稳压管 DZ的稳定电压 UZ=6V，允 许电流的变动范围是 Izmin=5mA, Izmax=30mA,求负载电阻 RL的可变范围。 图 1.41 1.42 二极管电路如图 1.42（a）所示，设二极管为理想的。 （1） 试求电路的传输特性（vo～vi特性），画出 vo～vi波形； （2） 假定输入电压如图 1.42（b）所示，试画出相应的 vo波形。 图 1.42
1.43稳压管稳压电路如图1.43所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范 围为10mA50mA, 限流电阻R=5002。试求： R (1)当U,=20W,R,=1K时，U。=? (2)当U,=20P,R,=1002时，U。=? 本 Uo 图1.43
图 1.43 1.43 稳压管稳压电路如图 1.43 所示。已知稳压管稳压值为 5 伏，稳定电流范 围为 10mA~50mA， 限流电阻 R=500 。试求： （1） 当 20 , 1 ? Ui = V RL = K 时， U0 = （2） 当 20 , 100 ? Ui = V RL = 时， U0 =