存储器读周期 (1) 个基本的存储器读周期由4个T状态组成，如图所示： CLK IO/M. 高=I0 A19-A16/S6-S3】 &19816 S6-S3 A15-A8 AD7-ADo 47A0 DA ALE RD DT/R DEN Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGI COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 存储器读周期（ 1 ）