第八篇半导体表面与MS结构 Semiconductor surface and matal-insulator- semiconductor structure 85赵面电场熟应 理想结构: (1)Wr mEws (2)绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电 (3)绝缘层与半导体界面处不存在界 面态。理想MIS结构： （1）Wm=Ws； （2）绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电； （3）绝缘层与半导体界面处不存在界 面态。 §7.1 表 面 电 场 效 应 第八篇 半导体表面与MIS结构 Semiconductor surface and matal-insulator- semiconductor structure