第八篇半导体表面与MS结构 Semiconductor surface and matal-insulator- semiconductor structure 85赵面电场熟应 理想结构: (1)Wr mEws (2)绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电 (3)绝缘层与半导体界面处不存在界 面态
理想MIS结构: (1)Wm=Ws; (2)绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电; (3)绝缘层与半导体界面处不存在界 面态。 §7.1 表 面 电 场 效 应 第八篇 半导体表面与MIS结构 Semiconductor surface and matal-insulator- semiconductor structure
究间电荷层及表面势 ■特征 p型半导体 V<0 ■1)能带向上 弯曲并接近EF; F EEEE ■2)多子(空 S ■穴六)在半 Qs 体表面积 累 m ■,越接近 半
n 1)能带向上 弯曲并接近EF; EFm EFs Ec Ev Ei Qs Qm x n2)多子(空 n 穴)在半 导 n 体表面积 累 n ,越接近 半 n 导体表面 多 n 子浓度越 高。 1、空间电荷层及表面势