期未复习
1 期末复习
Q考试题型 ◆填空30分,每空一分 ◆判断题10分,每题一分 ◆名词解释20分,每题4分 ◆问答题40分,6个题目 ◆AB卷
2 考试题型 填空30分，每空一分 判断题10分，每题一分 名词解释20分，每题4分 问答题40分，6个题目 AB卷
Q考试内容 ◆前10章,重点前7章 ◆课上补充内容 ◆作业
3 考试内容 前10章，重点前7章 课上补充内容 作业
Q半导体材料概述 ◆从电学性质上讲(主要指电阻率) 绝缘体1012-102cm 半导体1061012gcm 良导体<106g2cm 正温度系数(对电导率而言) 负温度系数(对电阻率而言) 导体????
4 半导体材料概述 从电学性质上讲（主要指电阻率） – 绝缘体1012—1022Ω.cm – 半导体10-6—1012 Ω.cm – 良导体≤10-6Ω.cm – 正温度系数（对电导率而言） – 负温度系数（对电阻率而言） – 导体？？？？
Q半导体材料的分类(按化学组成 ◆无机物半导体 元素半导体:(Ge,Si) 化合物半导体 三、五族GaAs 六族 ◆有机物半导体
5 半导体材料的分类（按化学组成 分类） 无机物半导体 – 元素半导体：（Ge, Si） – 化合物半导体 • 三、五族GaAs • 二、六族 有机物半导体
Q能带理论(区别三者导电性) ◆金属中,由于组成金属的原子中的价电子占据 港带是部分占满的,所以金属是良好的导体 半体由于禁带宽度比较公,n在源度升或自 带中去,这样在导带中就有自由电子,在价带 中就相应的缺少电子,等效为带有正电子的空 穴,电子和空穴同时参与导电,使得半导体具 有一定的导电性能 ◆一般对于绝缘体,禁带宽度较大,在温度升高 或有光照时,能够得到能量而跃迁到导带的电 子很少,因此绝缘体的导电性能很差
6 能带理论（区别三者导电性） 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据 的能带是部分占满的，所以金属是良好的导体。 半导体由于禁带宽度比较小，在温度升高或有 光照时，价带顶部的电子会得到能量激发到导 带中去，这样在导带中就有自由电子，在价带 中就相应的缺少电子，等效为带有正电子的空 穴，电子和空穴同时参与导电，使得半导体具 有一定的导电性能。 一般对于绝缘体，禁带宽度较大，在温度升高 或有光照时，能够得到能量而跃迁到导带的电 子很少，因此绝缘体的导电性能很差
Q半导体结构类型 金刚石结构(SiGe)同种元素的两套面 心立方格子沿对角线平移14套构而成 闪锌矿 五族化合物如GaAs):两种 元素的两套面心立方格子沿对角线平移 1/4套构而成 纤锌矿
7 半导体结构类型 • 金刚石结构（Si/Ge):同种元素的两套面 心立方格子沿对角线平移1/4套构而成 • 闪锌矿（三、五族化合物如GaAs)：两种 元素的两套面心立方格子沿对角线平移 1/4套构而成 • 纤锌矿
Q对禁带宽度的影响 ◆对于元素半导体: 同一周期,左-〉右,禁带宽度增大 同一族,原子序数的增大,禁带宽度减
8 对禁带宽度的影响 对于元素半导体： 同一周期，左-〉右，禁带宽度增大 同一族，原子序数的增大，禁带宽度减 小
一锗、硅的化学制备 硅锗的物理化学性质比较 ◆高纯硅的制备方法 ◆各种方法的具体步骤以及制备过程中材 料的提纯 ◆高纯锗的制备方法及步骤
9 一 .锗、硅的化学制备 硅锗的物理化学性质比较 高纯硅的制备方法 各种方法的具体步骤以及制备过程中材 料的提纯 高纯锗的制备方法及步骤
|二、区熔提纯 分凝现象,平衡分凝系数,有效分凝系数,正常 凝固, 平衡分凝系数与杂质集中的关系P20图2-1 ◆BPS公式及各个物理量的含义;分析如何提高分 凝效果,如何变成对数形式 ↓影响区熔提纯的因素 区熔的分类,硅和锗各采用什么方法
10 二、区熔提纯 分凝现象，平衡分凝系数，有效分凝系数，正常 凝固， 平衡分凝系数与杂质集中的关系P20图2－1 BPS公式及各个物理量的含义；分析如何提高分 凝效果，如何变成对数形式 影响区熔提纯的因素 区熔的分类，硅和锗各采用什么方法
