理里 SEMICONDUCTORCPHAYSICS 编写: 独立制作: 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系
半导体 物 理 SEMICONDUCTOR PHYSICS 编写:刘诺 独立制作:刘诺 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系
第五篇非平衡载流子 §5.1非平衡载流子的注入与复合 非平衡载流子及其产生 非平衡态:系统对平衡态的偏离 相应的:n=no+∠n p=p0+∠p n= ap 非平衡载流子:和∠p(过剩载流子)
一、非平衡载流子及其产生 非平衡态:系统对平衡态的偏离。 相应的:n=n0+ ⊿n p=p0+ ⊿p 且 ⊿n= ⊿p 非平衡载流子: ⊿n 和⊿p(过剩载流子) §5.1 非平衡载流子的注入与复合 第五篇 非平衡载流子
当非平衡载流子的浓度△n和 △p《多子浓度时,这就是小注 入条件 结论→小注入条件下非平衡少子p对平衡少子p的影响大 非平衡载流子<非平衡少子
非平衡载流子 非平衡少子 结论 小注入条件下非平衡少子 对平衡少子 的影响大 p p0 当非平衡载流子的浓度△n和 △p《多子浓度时,这就是小注 入条件
注入的结果产生附加光电导 o=ngunt pqAp =(n+△nn+(p+4)n (n+4)+(Mmn+4w) On+△ 故附加光电导△oo=△nqun+△pqpu △nq山+
注入的结果 产生附加光电导 = nqn + pq p ( ) ( ) = n0 + n qn + p0 + p q p ( ) ( ) = n0 qn + p0 q p + nqn + pq p = 0 + 故附加光电导 0 = nqn + pqp ( ) = nq n + p
光照停止,即停止注 ec 入,系统从非平衡态 回到平衡态,电子 空穴对逐渐消失的过 Eg 程 即 △n=△p 0 Ey
光照停止,即停止注 入,系统从非平衡态 回到平衡态,电子- 空穴对逐渐消失的过 程。 即: △n=△p 0
§5.2非平衡载流子的寿命 非平衡载流子的寿命 寿命τ非平衡载流子的平均生存时间 单位时间内非平衡载流子的复合几率 )单位时间内非平衡电子的复合几率 例如1一→>单位时间内非平衡空穴的复合几率
1、非平衡载流子的寿命 寿命 非平衡载流子的平均生存时间 单位时间内非平衡载流子的复合几率 1 ⎯→ ⎯→ 单位时间内非平衡空穴的复合几率 单位时间内非平衡电子的复合几率 例如 p n 1 1 §5.2 非平衡载流子的寿命
则在单位时间内非平衡载流子的减少数_④△pO dt 而在单位时间内复合的非平衡载流子数 如果在t=0时刻撤除光照 d{4yp()△ 在小注入条件下, z为常数解方程(得到p()=4y0)e—(2) 同理也有 ()=△n(0e->(3)
( ) dt d p t 则在单位时间内非平衡载流子的减少数 = − p p 而在单位时间内复合的非平衡载流子数 = 如果在t = 0时刻撤除光照 ( ) ⎯→(1) = − p p dt d p t 则 在小注入条件下, . (1) ( ) = (0) ⎯→(2) − p t p t p e 为常数解方程 得到 ( ) = (0) ⎯→(3) − n t n t n e 同理也有
寿命的意义 对(2)式求导 d()-A0)→减过程中从到十+内复合掉的过剩空 因此∈(△p)个过剩载流子的平均可生存时间为 )(3)同理 n—)4 [a△p( o danbi p()=(A2)et=1(△p)2-(5) 可见 △n(z)=(△ e →减就是AD(廉减到(△)的所需的时间
2、寿命的意义 ( ) ( ) ( ) 衰减过程中从 到 内复合掉的过剩空穴 对 式求导 dt t t dt p t d p t p + = − 2 ( ) ( ) ( ) (3) 0 0 0 = ⎯→ = − p d p t t d p t t p 因此 个过剩载流子的平均可生存时间为 ( ) ( ) (4) 0 0 = ⎯→ = − n d n t td n t 同理 t ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) = = ⎯→ = = ⎯→ − − 6 1 5 1 0 0 0 0 n e n n e p e p p e 可见 就是 ( )衰减到( ) 的 所需的时间 e p t p 1 0