3、发光二极管LED( Light Emitting Diode) 由半导体FN结构成,其工作电压低、响应速度快、寿 命长、体积小、重量轻,因此获得了广泛的应用。 在半导体PN结中,P区的空穴由于扩散而移动到N 区,N区的电子则扩散到P区,在PN结处形成势垒,从 而抑制了空穴和电子的继续扩散。当PN结上加有正向 电压时,势垒降低,电子由N区注入到P区,空穴则由P 区注入到N区,称为少数载流子注入。所注入到P区里 的电子和P区里的空穴复合,注入到N区里的空穴和N区 里的电子复合,这种复合同时伴随着以光子形式放出能 量,因而有发光现象3、发光二极管LED（Light Emitting Diode） 由半导体PN结构成，其工作电压低、响应速度快、寿 命长、体积小、重量轻，因此获得了广泛的应用。 在半导体PN结中，P区的空穴由于扩散而移动到N 区，N区的电子则扩散到P区，在PN结处形成势垒，从 而抑制了空穴和电子的继续扩散。当PN结上加有正向 电压时，势垒降低，电子由N区注入到P区，空穴则由P 区注入到N区，称为少数载流子注入。所注入到P区里 的电子和P区里的空穴复合，注入到N区里的空穴和N区 里的电子复合，这种复合同时伴随着以光子形式放出能 量，因而有发光现象