电子和空穴复合,所释放的能量E等于PN结的禁 带宽度(即能量间隙)。所放出的光子能量用hv表示, h为普朗克常数,ν为光的频率。则 E的单位为电子伏(eV),1eV=1.6×10京/N hv=e →h E 普朗克常数h=66×1034Js;光速c=3×108m/ hc=198×1026mW·s=12.4×10meV。 可见光的波长λ近似地认为在7×107m以下,所以制 作发光二极管的材料,其禁带宽度至少应大于 hcn=l. 8eV 普通二极管是用锗或硅制造的,这两种材料的禁带宽 度Eg分别为067eV和1.12eV,显然不能使用电子和空穴复合，所释放的能量Eg等于PN结的禁 带宽度（即能量间隙）。所放出的光子能量用hν表示， h为普朗克常数，ν为光的频率。则 Eg hc  = Eg c h =  h = Eg 普朗克常数h=6.6╳10-34J.s；光速c=3╳108m/s； Eg的单位为电子伏（eV），1eV=1.6╳10-19J。 hc=19.8×10-26m•W•s=12.4×10-7m•eV。 可见光的波长λ近似地认为在7×10-7m以下，所以制 作发光二极管的材料，其禁带宽度至少应大于 h c /λ=1.8 eV 普通二极管是用锗或硅制造的，这两种材料的禁带宽 度Eg分别为0.67eV和1.12eV，显然不能使用