411JFET的结构及基本工作原理 休息1体息2 1结构 N沟道管:电子导电 D漏极 P沟道管:空穴导电 (1)N沟道管 G栅极 p 在一块N型硅片两侧分别制作 个高浓度的P型区,形成PN结 两个P型区的引线连在一起作为 个电极,称为栅极G。在N型区两 端引出两个电极分别称为源极S和 s源极 漏极D,两个PN结之间的N区域 D漏极 称为电沟道。符号中箭头的方向代 表了栅源电压处于正偏时栅极的电G栅极 流方向。 (2)P沟道管 S 导电沟道为P型半导体,称为P型 沟道管。 s源极 返回4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 (1) N 沟道管 在一块 N 型硅片两侧分别制作 一个高浓度的 P 型区，形成 P + N 结 ， 两 个 P 型区的引线连在一起作为一 个电极，称为栅极 G。在 N 型区两 端引出两个电极分别称为源极 S 和 漏 极 D，两个 PN 结之间的 N 区 域 称为电沟道。符号中箭头的方向代 表了栅源电压处于正偏时栅极的电 流方向。 S 源极 D 漏极 G 栅极 G S D + P + P N (2) P 沟道管 G S D P + N + N G 栅极 D 漏极 S源极 导电沟道为 P 型半导体，称为 P 型 沟道管。 1 结构 N 沟道管：电子导电 P 沟道管：空穴导电 休息1 休息2 返回