§4.1场效应晶体管 引言 晶体管工作在放大区时,输入回路酬结正偏,输入阻抗小, 且是一个电流控制的有源器件。 场效应管也是一种具有FN结的正向受控作用的有源器件, 它是利用电场效应来控制输出电流的大小,其输入端N结 般工作于反偏状态或绝缘状态。输入电阻很高。 场效应管根据结构不同分为两大类 结型场效应管(JFET)输入阻抗106~10g 绝缘栅场效应管(GFET)输入阻抗102~10g 在 IGFET中又有多种类型,目前应用最广泛的是以二氧 化硅SO2为绝缘层的场效应管,称为金属一氧化物一半导体场 效应管 MOSFET, Metal- Oxide-Semiconductor field effect transistor)。 休息1休息2返回§4.1场效应晶体管 晶体管工作在放大区时，输入回路 PN 结正偏，输入阻抗小， 且是一个电流控制的有源器件。 场效应管也是一种具有 PN 结的正向受控作用的有源器件， 它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端 PN 结一 般工作于反偏状态或绝缘状态。输入电阻很高。 场效应管根据结构不同分为两大类： 结型场效应管 (JFET) 输入阻抗  6 9 10 ~ 10 绝缘栅场效应管 (IGFET) 输入阻抗  1 2 1 4 10 ~ 10 在 IGFET 中又有多种类型，目前应用最广泛的是以二氧 化硅 O2 Si 为绝缘层的场效应管，称为金属－氧化物－半导体场 效应管(MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) 。 休息1 休息2 引言 返回