EXAMPLE PROBLEM 3 lnn=lnp≡C 纯错的25°电导率为22(g2-m),估算其150C的电 导率 SOLUTION 锗的E2值为067eV,代入公式na≡C C=In △(1/7) 如m 0.67eV (2(862×10-°eV/K)(298K 150°C下 设计例题: 纯硅室温电导率为4x10+(Qm)2。现欲得到种室温 0.67eV 求其所需浓度(原子百分比)。假定电子与空穴的迁 (2862×10°eV/K)423K) 移率相同,杂质达到饱和 =1038(9·m) SOLUTION 查衰得到电子迁移率为(0.14m/-s),代入所要求的 使硅成为n型半导体的杂质元亲在周期衰中必然处于硅的右 侧,如,,砷等。 又因在n材料中n》p.电导率只是自由电子浓度的函数。由 杂质原子全部有效的条件,自由电子数就等于杂质原子数: (1.6×10°C)0.4m2/7 (1/ ) ln 2 (1/ ) ln 2 T n k T p E k g ∆ ∆ = − ∆ ∆ = − Intrinsic Extrinsic Saturation ln p 1/T k E T p g (1/ ) 2 ln = − ∆ ∆ kT E n p C g 2 ln = ln ≅ '− EXAMPLE PROBLEM 3 纯锗的25°C电导率为2.2 (Ω-m)-l, 估算其150 °C 的电 导率。 锗的 Eg 值为 0.67 eV, 代入公式 kT E C g 2 lnσ ≅ − 13.83 (2)(8.62 10 eV / K)(298K) 0.67eV ln(2.2) 2 ln 5 = × = + = + − kT E C g σ SOLUTION 150°C下： 4.64 (2)(8.62 10 eV / K)(423K) 0.67eV 13.83 2 ln 5 = × = − = − − kT E C g σ 1 103.8( m) − σ = Ω• 纯硅室温电导率为4 × 10-4 (Ω-m)-l。现欲得到一种室温 电导率为150 (Ω -m)-l的n型硅材料。确定一种杂质物并 求其所需浓度（原子百分比）。假定电子与空穴的迁 移率相同，杂质达到饱和。 设计例题： 使硅成为n型半导体的杂质元素在周期表中必然处于硅的右 侧，如氮，磷，砷，锑等。 又因在n型材料中n » p, 电导率只是自由电子浓度的函数。由 杂质原子全部有效的条件，自由电子数就等于杂质原子数： Nd n ~ SOLUTION 21 3 19 2 1 6.7 10 m (1.6 10 C)(0.14m / V ) 150( m) − − − = × × • Ω• = = = s e n N e d µ σ 查表得到电子迁移率为 (0.14 m2/V-s)，代入所要求的 150 (Ω-m)-1：