金属与半导体功函数差引入的能带弯曲分别为： (p型半导体) (n型半导体) =n- EF 2q 中m是栅电极的功函数，x是半导体的亲和能，E为半导体 材料的禁带宽度。半导体衬底的费米势为 KT In q ni Vacuum level Vacuum level 90 99 E/2 E/2 Ec Ec 4鸡 E:77/ E:77 -.E EFs -d- Metal p-type Metal n-type Oxide semiconductor Oxide semiconductor• 金属与半导体功函数差引入的能带弯曲分别为： （p型半导体） （n型半导体） ￾m是栅电极的功函数，χ是半导体的亲和能，Eg为半导体 材料的禁带宽度。半导体衬底的费米势为 ln sub F kT N q ni             F g ms m q E     2           F g ms m q E     2