N+多晶硅栅NMOSFET的能带图，硅的电子亲和能 4.15eV,功函数4.96eV,二氧化硅功函数0.95eV,二 氧化硅和硅禁带宽度分别8eV和1.1eV。 qPox =0.95eV 0.81-xeV Ec q④M=4.15eV q④si= qΦs= 4.15eV 4.96eV 3.20eV 3.20eW Ec Ern Ec XeV Ec Eg ~8eV Ec EEP Ev Ev Ev n+多晶硅 p衬底 3.70eV n+多晶硅 p衬底 Ev SiO2• N+多晶硅栅NMOSFET的能带图, 硅的电子亲和能 4.15eV，功函数4.96eV，二氧化硅功函数0.95eV,二 氧化硅和硅禁带宽度分别8eV和1.1eV