点击下载:北京大学:《半导体物理学 Physics of Semiconductors》课程教学资源(教案讲稿)第六章 金属和半导体接触与异质结(M/S Contact)
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§6.1金属/半导体接触 2金属和半导体中允态和填充态与能级位置的关系 金属半导体结 金属 半导体 Ef1 Ef2 (E) g(E)一 爱=填充态=/EE =允态=g(E) 金属的E在导带中,有很多自由电子;半导体的E在禁带中 ,价带近满、导带近空。§6.1 金属/半导体接触 金属半导体结 金属 半导体 =填充态=fD(E)g(E) =允态=g(E) 2.金属和半导体中允态和填充态与能级位置的关系 金属的 Ef在导带中,有很多自由电子 ;半导体的 Ef在禁带中 ,价带近满、导带近空
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